Главная Производство НИОКР Публикации Новости Контакты English version
___
АО "Микроволновые системы"
Разработка и производство твердотельных модулей СВЧ
   
GaAs аттенюаторы

MSD107V

Описание:

Модуль MSD107V – однобитный 20-децибельный GaAs p-i-n-диодный аттенюатор с вносимыми потерями 0,8 дБ и TTL-управлением.

Исполнение:

Модуль СВЧ бескорпусной (кристалл)

Основные особенности:

  • Полоса рабочих частот: от 4,0 до 9,0 ГГц
  • Начальные потери: LНАЧ ≤ 0,5 дБ
  • Вносимое ослабление: LАТТ = 20,0 дБ
  • Входная мощность: Р-1дБ = 20 дБм
  • Уровень сигналов ТТЛ: UУПР = 0 / +3,3 В   
  • Размеры кристалла: 1,0 х 1.0 х 0.1 мм3

 

Основные электрические характеристики (Т=25°С)

Наименование параметра

Обозначение

Единицы измерения

Значение

Мин

Тип

 

Макс

Диапазон рабочих частот

Δf

ГГц

4

9

Начальные потери

LНАЧ

дБ

0,3

0,5

0,7

Вносимое ослабление

LАТТ

дБ

18,5

20,0

21,5

Входная мощность Р-1дБ

Р-1

дБм

20,0

21,0

КСВН вход / выход

КСВН

 

1,6 / 1,6

Ошибка вносимого ослабления

LАТТ

дБ

 

0,4

Паразитная амплитудно-фазовая конверсия

Δϕ

град

-21,0

 

+21,0


Условное обозначение при заказе

Модуль MSD107V – МКШУ.460870.003 ТУ

Документация

Техническое описание

Дополнительная информация

Публикации. GaAs МИС дискретных широкополосных фазостабильных аттенюаторов: примеры из практики АО «Микроволновые системы»

Публикации. Опыт разработки и производства МИС СВЧ в АО «Микроволновые системы»

Новости. Свидетельства о государственной регистрации топологий интегральных микросхем

Интеллектуальная собственность