Главная Производство НИОКР Публикации Новости Контакты English version
___
АО "Микроволновые системы"
Разработка и производство твердотельных модулей СВЧ
   
GaAs аттенюаторы

MSD108V

Описание:

Модуль MSD108V – однобитный 20-децибельный GaAs p-i-n-диодный аттенюатор с вносимыми потерями 1,3 дБ и TTL-управлением

Исполнение:

Модуль СВЧ бескорпусной (кристалл)

Основные особенности:

  • Полоса рабочих частот: от 2,8 до 15,0 ГГц
  • Начальные потери: LНАЧ ≤ 1,3 дБ
  • Вносимое ослабление: LАТТ = 20,0 дБ
  • Входная мощность: Р-1дБ = 20 дБм
  • Уровень сигналов ТТЛ: UУПР = 0 / +3,3 В   
  • Размеры кристалла: 1,0 х 1,0 х 0,1 мм3

 

Основные электрические характеристики (Т=25°С)

Наименование параметра

Обозначение

Единицы измерения

Значение

Мин.

Тип.

 

Макс.

Диапазон рабочих частот

Δf

ГГц

2,8

 

15,0

Начальные потери

LНАЧ

дБ

0,7

1,1

1,3

Вносимое ослабление

LАТТ

дБ

19,5

20,0

21,0

Входная мощность Р-1дБ

Р-1

дБм

20,0

21,0

КСВН вход / выход

КСВН

 

1,8 / 1,8

Ошибка вносимого ослабления

LАТТ

дБ

 

0,4

Паразитная амплитудно-фазовая конверсия

Δϕ

град

минус 2

 

13


Условное обозначение при заказе

Модуль MSD108V – МКШУ.460870.003 ТУ

Документация

Техническое описание

Дополнительная информация

Публикации. GaAs МИС дискретных широкополосных фазостабильных аттенюаторов: примеры из практики АО «Микроволновые системы»

Публикации. Опыт разработки и производства МИС СВЧ в АО «Микроволновые системы»

Интеллектуальная собственность