MSD109V
Описание:
Модуль MSD109V – однобитный 20-децибельный GaAs p-i-n-диодный аттенюатор с вносимыми потерями 1,2 дБ и TTL-управлением
Исполнение:
Модуль СВЧ бескорпусной (кристалл)
Основные особенности:
- Полоса рабочих частот: от 5,0 до 12,0 ГГц
- Начальные потери: LНАЧ ≤ 1,2 дБ
- Вносимое ослабление: LАТТ = 20,0 дБ
- Входная мощность: Р-1дБ = 20 дБм
- Уровень сигналов ТТЛ: UУПР = 0 / +3,3 В
- Размеры кристалла: 1,0 х 1,0 х 0,1 мм3
Основные электрические характеристики (Т=25°С)
|
Наименование параметра |
Обозначение |
Единицы измерения |
Значение |
||
|---|---|---|---|---|---|
|
Мин. |
Тип.
|
Макс. |
|||
|
Диапазон рабочих частот |
Δf |
ГГц |
5 |
– |
12 |
|
Начальные потери |
LНАЧ |
дБ |
0,8 |
1,2 |
1,3 |
|
Вносимое ослабление |
LАТТ |
дБ |
18,5 |
20,0 |
20,5 |
|
Входная мощность Р-1дБ |
Р-1 |
дБм |
20,0 |
21,0 |
– |
|
КСВН вход / выход |
КСВН |
– |
– |
– |
2,2 / 2,0 |
|
Ошибка вносимого ослабления |
LАТТ |
дБ |
– |
– |
0,4 |
|
Паразитная амплитудно-фазовая конверсия |
Δϕ |
град |
-20,0 |
|
+35,0 |
Условное обозначение при заказе
Модуль MSD109V – МКШУ.460870.003 ТУДокументация
Дополнительная информация
Публикации. Опыт разработки и производства МИС СВЧ в АО «Микроволновые системы»
Новости. Свидетельства о государственной регистрации топологий интегральных микросхем