Серия GaN транзисторов МСК

Транзисторы полевые серии МСК изготавливаются на основе AlGaN/GaN гетероструктур с характеристической длиной затвора 0.25 мкм и предназначены для применения в схемах усилителей, модулей, узлов и блоков СВЧ диапазона частот общепромышленного назначения.
Транзисторы изготавливаются в виде кристаллов, допускающих ручную сборку и предназначенных для применения в герметизируемых объемах. Истоки транзисторов соединены с обратной стороной кристалла через металлизированные отверстия. Металлизация контактных площадок – под разварку золотой проволокой