Главная Производство НИОКР Публикации Новости Вакансии Контакты English version
___
АО "Микроволновые системы"
Разработка и производство твердотельных модулей СВЧ
   
Новости

Российский форум «Микроэлектроника 2025»

Российский форум «Микроэлектроника 2025»
1 Октября 2025

Сотрудники АО «Микроволновые системы» выступили с докладами на научной конференции «ЭКБ и электронные модули» Форума «Микроэлектроника-2025»

Тезисы докладов опубликованы в сборнике:

Российский форум «Микроэлектроника 2025». 11-я Научная конференция «ЭКБ и микроэлектронные модули». Сборник тезисов. // Научно-технологический университет «Сириус». 21-27 сентября 2025 г. М.: ТЕХНОСФЕРА, 2025.  1592 с.

 

«Радиомодем стандарта DVB-S2 для широкополосной системы связи Российской орбитальной станции» Тезисы

Шевченко Р.А., Конев С.В.

АО «Микроволновые системы», ПАО «РКК «Энергия»

В докладе предложены подходы к проектированию технического облика радиомодема, предназначенного для формирования и обработки радиосигнала стандарта спутниковой связи DVB-S2, являющегося составной частью приемо-передающего устройства Ku-диапазона широкополосной системы связи Российской орбитальной станции.

 

«GaN усилитель мощности Ku диапазона для использования в составе линии связи» Тезисы

Редька Ал.В., Радченко А.В., Матвеев А.Д.

АО «Микроволновые системы»

В докладе представлены результаты разработки усилителя мощности Ku диапазона со встроенным источником питания и модулем управления, приведены основные измеренные параметров усилителя мощности, описываются особенности применения GaN элементной базы в составе аппаратуры радиолиний связи.

 

«Схемотехнические способы купирования условий электрических деградаций в GaN HEMT» Тезисы

Миннебаев В.М.

АО «Микроволновые системы»

Гетероструктурные полевые транзисторы на основе нитрида галлия являются самыми перспективными активными элементами СВЧ, однако и они сталкиваются с проблемами надежности. В докладе представлены схемотехнические решения, позволяющие в значительной степени купировать условия, связанные с электрическими механизмами деградации, включая проблемы с неконтролируемым увеличением токов утечки затвора, пиковых превышений напряжения пробоя сток-исток, горячими электронами и фононами.

 

«Малошумящие усилители, изготовленные по технологическому процессу GA05-D-L-01»Тезисы

Кулиш А.М., Фазылханов О.Р.

АО «Микроволновые системы», АО «Светлана-Рост»

В рамках сервиса «MPW», организованного НИУ МИЭТ, на основе технологического процесса GA05-D-L-01 АО «Светлана-Рост» разработаны МИС МШУ X-диапазона. В докладе описаны этапы и результаты моделирования и их сравнение с измерениями S-параметров, коэффициента шума и потребляемой и выходной мощности.

<< Все новости