Главная Производство НИОКР Публикации Новости Вакансии Контакты English version
___
АО "Микроволновые системы"
Разработка и производство твердотельных модулей СВЧ
   
Тезисы докладов

Тезисы докладов

Радиомодем стандарта DVB-S2 для широкополосной системы связи российской орбитальной станции
1 Октября 2025 Радиомодем стандарта DVB-S2 для широкополосной системы связи российской орбитальной станции
Шевченко Р. А., Конев С. В.

В докладе предложены подходы к проектированию технического облика радиомодема, предназначенного для формирования и обработки радиосигнала стандарта спутниковой связи DVB-S2, являющегося составной частью приемо-передающего устройства Ku-диапазона (ППУ-Ku) широкополосной системы связи (ШСС) российской орбитальной станции (РОС).

Малошумящие усилители, изготовленные по технологическому процессу GA05-D-L-01
1 Октября 2025 Малошумящие усилители, изготовленные по технологическому процессу GA05-D-L-01
Кулиш А. М., Фазылханов О. Р.

В рамках сервиса MPW, организованного НИУ МИЭТ, на основе технологического процесса GA05-D-L-01 АО «Светлана-Рост» разработаны МИС МШУ X-диапазона. В докладе описаны этапы и результаты моделирования и их сравнение с измерениями S-параметров, коэффициента шума и потребляемой и выходной мощности. 

GaN-усилитель мощности Ku-диапазона для использования в составе линии связи
1 Октября 2025 GaN-усилитель мощности Ku-диапазона для использования в составе линии связи
Редька Ал. В., Радченко А. В., Матвеев А. Д.

Разработан усилитель мощности Ku-диапазона со встроенным источником питания и модулем управления. Проведены измерения основных параметров усилителя мощности. Описываются особенности применения GaN элементной базы в составе аппаратуры радиолиний связи.

Схемотехнические способы купирования условий электрических деградаций в GaN HEMT
1 Октября 2025 Схемотехнические способы купирования условий электрических деградаций в GaN HEMT
Миннебаев В. М.

Гетероструктурные полевые транзисторы на основе нитрида галлия являются самыми перспективными активными элементами СВЧ, однако и они сталкиваются с проблемами надежности. В докладе представлены схемотехнические решения, позволяющие в значительной степени купировать условия, связанные с электрическими механизмами деградации.

Малошумящие усилители, изготовленные по технологическому процессу GA05-D-L-01
12 Сентября 2025 Малошумящие усилители, изготовленные по технологическому процессу GA05-D-L-01
Кулиш А. М. (1), Фазылханов О. Р. (2)

Тезисы доклада. В рамках сервиса MPW, организованного НИУ МИЭТ, на основе технологического процесса GA05-D-L-01 АО «Светлана-Рост» разработаны МИС МШУ X-диапазона. В докладе описаны этапы и результаты моделирования и их сравнение с измерениями S-параметров, коэффициента шума и потребляемой и выходной мощности.

 

Параметрический умножитель частоты с низким уровнем вносимого фазового шума
9 Октября 2024 Параметрический умножитель частоты с низким уровнем вносимого фазового шума
Баринов Д. А., Гурьянов Н. О.

Представлены результаты разработки, изготовления и испытаний макета умножителя частоты на основе варикапа с резким переходом с низким уровнем вносимого фазового шума. Тезисы доклада

Преобразователь последовательного кода в параллельный для применения в многофункциональных GaAs СВЧ МИС
9 Октября 2024 Преобразователь последовательного кода в параллельный для применения в многофункциональных GaAs СВЧ МИС
Иванов А. В., Кондратенко А. В., Сорвачев П. С., Щербаков А. С.

Представлены результаты разработки и тестирования функционального блока последовательно-параллельного драйвера управления, выполненного на основе GaAs технологического процесса. Разработанный преобразователь кода можно как интегрировать в состав различных МИС СВЧ, так и реализовать в виде отдельного кристалла, где гибридная сборка более выгодна.

Примеры МИС СВЧ, разработанных с использованием различных подходов и инструментов проектирования — полет технической мысли или борьба с ограничениями
9 Октября 2024 Примеры МИС СВЧ, разработанных с использованием различных подходов и инструментов проектирования — полет технической мысли или борьба с ограничениями
Кондратенко А. В., Шишкин Д. А., Сорвачев П. С.

В докладе представлен ряд реализованных проектов GaAs / GaN МИС СВЧ, разработка которых велась с применением различных инструментов проектирования, доступных в текущий момент времени, а также на основе различных подходов, диктуемых степенью характеризации используемого технологического процесса.