Главная Производство НИОКР Публикации Новости Вакансии Контакты English version
___
АО "Микроволновые системы"
Разработка и производство твердотельных модулей СВЧ
   
Тезисы докладов

Тезисы докладов

1 Октября 2025
Кулиш А. М., Фазылханов О. Р.
Национальный исследовательский университет «МИЭТ»; АО «Микроволновые системы»; АО «Светлана-Рост»

Малошумящие усилители, изготовленные по технологическому процессу GA05-D-L-01

Опубликовано: Российский форум «Микроэлектроника 2025». 11-я Научная конференция «ЭКБ и микроэлектронные модули». Сборник тезисов. // Научно-технологический университет «Сириус». 21-27 сентября 2025 г. М.: ТЕХНОСФЕРА, 2025

Кулиш А. М., Фазылханов О. Р

В рамках сервиса MPW, организованного НИУ МИЭТ, на основе технологического процесса GA05-D-L-01 АО «Светлана-Рост» разработаны МИС МШУ X-диапазона. В докладе описаны этапы и результаты моделирования и их сравнение с измерениями S-параметров, коэффициента шума и потребляемой и выходной мощности. 

Ключевые слова: GaAs pHEMT; СВЧ МИС; МШУ; двухпозиционный коммутатор; приемо-передающий модуль.

Монолитные интегральные схемы (МИС) малошумящих усилителей (МШУ) X-диапазона частот являются незаменимой частью приемо-передающих модулей в системах фазированных антенных решеток и измерительной аппаратуре. Ключевыми характеристиками МИС МШУ являются коэффициент шума и коэффициент усиления в требуемом диапазоне частот, величина потребляемой мощности.
В рамках сервиса MPW, организованного НИУ МИЭТ, предприятием АО «Микроволновые системы» разработаны МИС МШУ и МШУ с байпас-каналом X-диапазона на основе технологического процесса GaAs pHEMT с проектной нормой 0,5 мкм GA05-D-L-01, изготовленные на отечественном контрактном производстве АО «Светлана-Рост». МШУ, находящийся в составе обеих МИС, спроектирован с использованием методики совмещенного согласования, которая позволяет достичь минимального коэффициента шума при минимальных потерях на отражение сигнала от входа усилителя [1]. МИС МШУ с байпас-каналом состоит из МШУ, дополненного двухпозиционными коммутаторами, осуществляющими переключение между усилителем и линией передачи, за счет чего реализуется усиление входного сигнала на 20 дБ либо обеспечивается прохождение сигнала с затуханием не более 1,5 дБ, в зависимости от комбинации управляющих напряжений [2]. Режим транзисторов по постоянному току в составе обеих МИС задается с использованием схем истокового автосмещения, что позволяет сократить количество требуемых источников напряжения и исключить зависимость параметров
МИС от точности установки внешнего напряжения затвор-исток транзисторов в усилительных каскадах. В докладе описаны этапы и результаты моделирования, сравнение результатов моделирования с результатами экспериментального исследования параметров матрицы рассеяния (S-параметров), коэффициента шума, выходной и потребляемой мощности изготовленных образцов МИС МШУ X-диапазона частот.

<< Все статьи