Миннебаев В. М.

Гетероструктурные полевые транзисторы на основе нитрида галлия являются самыми перспективными активными элементами СВЧ, однако и они сталкиваются с проблемами надежности. В докладе представлены схемотехнические решения, позволяющие в значительной степени купировать условия, связанные с электрическими механизмами деградации, включая проблемы с неконтролируемым увеличением токов утечки затвора, пиковых превышений напряжения пробоя сток-исток, горячими электронами и фононами.
Ключевые слова: деградация; GaN HEMT; горячий электрон; горячий фонон; ток утечки; коллапс тока; саморазогрев; дефекты с глубокими уровнями; лавинно-инжекционная неустойчивость.