Проведен сравнительный анализ методик восстановления параметров физических и эмпирических моделей GaN HEMT. Восстановлены параметры моделей ASM-HEMT и EEHEMT для GaN HEMT, изготовленных по двум различным технологическим процессам. Полученные модели апробированы в составе широкополосных СВЧ-усилителей мощности.
Ключевые слова: GaN HEMT; SPICE-модель; PDK; восстановление параметров; широкополосный СВЧ-усилитель мощности.

Активное развитие технологий на основе GaN в последние годы приводит к росту количества доступных технологических процессов, обладающих существенно различающимися характеристиками, для различных областей применения СВЧэлектроники. В этой ситуации как разработчикам, так и пользователям ЭКБ для создания конкурентной продукции в быстро изменяющихся условиях необходимо оперативное снабжение инструментами проектирования, одним из основных элементов которых являются модели активных элементов. Между тем ввиду электрофизических особенностей GaN и конструктивно-технологических особенностей приборов на его основе создание единой модели GaN HEMT, характеризующей работу прибора во всех требуемых областях применения, существенно затруднено. Поэтому комплекты средств проектирования для САПР схемно-топологического моделирования (PDK), поставляемые полупроводниковыми фабриками, содержат либо модели ограниченной области применения, что не всегда удовлетворяет требованиям пользователя [2], либо несколько моделей для одного элемента, каждая из которых характеризует прибор в определенных электрических режимах В связи с этим для разработчиков СВЧ ИС целесообразным является наличие собственной методики восстановления параметров модели, ориентированной на оперативное создание моделей GaN HEMT для требуемой области применения. В данной работе проведен сравнительный анализ существующих подходов к восстановлению параметров моделей (эмпирического и физического) для использования при проектировании широкополосных усилителей (ШПУ) с рабочим диапазоном до 12 ГГц по схеме балансного каскада.