Аннотация: в докладе представлены примеры проектов многофункциональных МИС, где использование схемы стабилизации затворного смещения активных элементов позволило повысить выход годных кристаллов по критерию коэффициент усиления. Кроме того, приведена модифицированная схема стабилизации смещения с возможностью модуляции напряжения затвора. Все примеры проектов выполнены на основе технологического процесса 0,15 мкм GaAs pHEMT.
Ключевые слова: монолитная интегральная схема, транзистор с высокой подвижностью электронов, векторный модулятор, параметры рассеяния, схема стабилизации затворного смещения, модуляция по затвору, технологический процесс GaAs pHEMT.

Введение
Монолитные интегральные технологии в настоящее время получили широкое распространение, использование электронной компонентной базы (ЭКБ) высокой степени интеграции является трендом при построении приемо-передающих модулей (ППМ). Разработка и применение собственной ЭКБ в проектируемых модулях позволяет решить важную задачу оптимизации технических и экономических показателей всего проекта.
Разработка монолитных интегральных схем (МИС) СВЧ-диапазона частот является сложной и трудоемкой задачей, порой невозможно на этапе расчета учесть все нюансы, например - технологический разброс параметров интегральных элементов на пластине и при серийном производстве. Из-за этого снижается выход годных и, как следствие, ухудшаются экономические показатели проекта. Одним из способов повышения выхода годных производимых МИС на пластине является использование схемы стабилизации затворного смещения для активных элементов усилителей.
В докладе представлены результаты применения схемы стабилизации затворного смещения в GaAs МИС собственной разработки. Кроме того, приведена модифицированная версия схемы, позволяющая осуществить модуляцию напряжения затвора активного элемента усилителя. Работа велась в интересах внутренних подразделений, занимающихся проектированием и производством радиоэлектронных узлов, модулей и систем.