Архив публикаций
28 Сентября 2011
Интермодуляционные искажения в усилителях класса е на основе gaas и sic транзисторов
Опубликовано: Материалы 21 Крымской конференции "СВЧ техника и телекоммуникационные технологии", Севастополь, Вебер, 2011 г.
<< Все статьи
Аннотация — Исследованы интермодуляционные искажения в высокоэффективных нелинейных усилителях СВЧ мощности класса Е. Теоретически и экспериментально получены данные для усилителя на основе GaAs транзистора CLY5 и для широкополосного усилителя мощности класса Е на основе SiC транзистора
