Главная Системы Производство НИОКР Публикации Новости Вакансии Контакты English version
___
АО "Микроволновые системы"
Разработка и производство твердотельных модулей СВЧ
   
Публикации

Архив публикаций

28 Сентября 2013
Суханов Д. А., Кищинский А. А.
E-Mail: ak@mwsystems.ru
ЗАО «Микроволновые системы»

Импульсные усилители мощности L-, S-, C- диапазонов с высоким кпд на gan транзисторах

Опубликовано: 23-я Международная Крымская конференция "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии" (КрыМиКо'2013). Материалы конференции. 2013

Аннотация — В докладе изложены результаты разработки импульсных гибридно-интегральных усилителей мощности L-, S-, C- диапазонов с КПД более 40% и выходной импульсной мощностью от 68 до 200 Ватт, предназначенных для использования в качестве выходных усилителей мощности приемо-передающих модулей в активных фазированных антенных решетках. Приведены расчетные и экспериментальные характеристики, обсуждаются особенности построения усилителей, конструкции и
технологии сборки.

I. Введение
Одним из важнейших технических параметров, определяющих характеристики современных радиолокационных систем на основе активных фазированных антенных решеток, является КПД используемых твердотельных усилителей. Имеется ряд работ (см., например [1—2]) в которых показаны возможности существенного (вплоть до октавы) расширения диапазона частот хорошо известных схем усилителей с реакцией на гармониках [3]. Целью данной работы является достижение высоких значений КПД по добавляемой мощности (PAE) многокаскадных балансных импульсных усилителей мощности за счет применения современных GaN транзисторов и специальных схем выходных согласующих цепей.

<< Все статьи