Главная Системы Производство НИОКР Публикации Новости Вакансии Контакты English version
___
АО "Микроволновые системы"
Разработка и производство твердотельных модулей СВЧ
   
Публикации

Публикации

28 Июня 2026
Кулиш А.М., Лосев В.В.
АО «Микроволновые системы», г. Москва. НИУ МИЭТ, г. Зеленоград

Результаты зондовых измерений интегральной схемы дискретного 6-разрядного аттенюатора X-диапазона частот, разработанной на основе технологического процесса GaAs pHEMT 0,5 мкм

Опубликовано: Сборник статей XV Всероссийской научно-технической конференции «Электроника и микроэлектроника СВЧ». Санкт-Петербург. СПбГЭТУ «ЛЭТИ». 2-5 июня 2026. С. 239-242

Представлен процесс проектирования 6-ти разрядного дискретного аттенюатора X-диапазона на отечественном техпроцессе GaAs pHEMT GA05- D-L-01. Согласно результатам моделирования, применённая методика коррекции паразитного фазового сдвига позволила снизить среднеквадратичное отклонение по фазе до 1,7°–3,4° при ошибке по амплитуде 0,16–0,27 дБ. Описана методика подготовки к зондовым измерениям с использованием зондовой станции и векторного анализатора цепей, а также проведено сравнение результатов моделирования и измерения.

<< Все статьи