Главная Производство НИОКР Публикации Новости Контакты English version
___
АО «Микроволновые системы»
Разработка и производство твердотельных модулей СВЧ
   
GaAs аттенюаторы

MSD109V

Общее описание:

Модуль MSD109V – однобитный 20-децибельный GaAs p-i-n-диодный аттенюатор с вносимыми потерями 1,1 дБ и TTL-управлением

Исполнение:

Модуль СВЧ бескорпусной (кристалл)

Основные характеристики:

  • Полоса рабочих частот: от 5,0 до 10,0 ГГц
  • Начальные потери: LНАЧ ≤ 1,1 дБ
  • Вносимое ослабление: LАТТ = 20,0 дБ
  • Входная мощность: Р-1дБ= 20 дБм
  • Уровень сигналов ТТЛ: UУПР = 0/3,3 В   
  • Размеры кристалла: 1,0 х 1.0 х 0.1 мм3

 

Основные электрические характеристики (Т=25°С)

Наименование параметра

Обозначение

Единицы измерения

Значение

Не менее

Не более

Диапазон рабочих частот

Δf

ГГц

5

10

Начальные потери

LНАЧ

дБ

1,1

Вносимое ослабление

LАТТ

дБ

20,0

Входная мощность Р-1дБ

Р-1

дБм

20

КСВН вход / выход

КСВН

1,8 / 1,8

Ошибка вносимого ослабления

LАТТ

дБ

минус 0,8

0,8

Паразитная амплитудно-фазовая конверсия

Δϕ

град

минус 20

20


Документация

Техническое описание (pdf)

Дополнительная информация

Публикации. GaAs МИС дискретных широкополосных фазостабильных аттенюаторов: примеры из практики АО «Микроволновые системы»