Импортозамещающая ЭКБ
Вниманию разработчиков, производителей модулей и устройств, заинтересованных в локализации своей продукции!
Представляем перечень изделий разработки и производства АО «Микроволновые системы» – аналогов ЭКБ иностранного производства.
Приглашаем к сотрудничеству!
GaAs усилители мощности
Наименование |
Аналог |
ΔF, ГГц |
Pвых, мВт |
Ку, дБ |
ΔКу, дБ |
Кш, дБ |
Uпит, В |
Примечание |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
МС3058-2
|
AB1520AD, HMC463, HMC462, HMC-ALD102 |
2 – 20
|
40
|
14,0
|
3,0
|
5,0
|
+8,0
|
производство
|
|
МС4000
|
CMM4000-BD, TGA1342-SCC |
2 – 18
|
100
|
9,0
|
3,0
|
-
|
+8,0
|
производство
|
|
МС0014
|
CMM0014-BD |
2 – 20
|
200
|
12,0
|
3,0
|
-
|
+8,0
|
производство
|
|
МС120-2
|
BW1765, ASL4044, CMD201 |
5 – 18
|
1000
|
10,0
|
1,5
|
-
|
+8,0
-5,0 |
производство
|
GaAs pНЕМТ транзисторы
Наименование |
Аналог |
ΔF, ГГц |
P1дБ, Вт |
Ку, дБ |
Uси |
Iси.нач |
Примечание |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| МС14-2 | BCP080C, BCP120C, AM010WH2, MwT-PH8F, MwT-PH31F |
0 – 18
|
1,1*
|
8,0*
|
8,0
|
0,6
|
производство
|
| МС24С | TGF2160, BCP160C, BCP240C, TGF2022-24, FLK207XV, FLX257XV |
0 – 18
|
1,9*
|
7,5*
|
8,0
|
1,0
|
производство
|
| МС24-2С | TGF2160, BCP160C, BCP240C, TGF2022-24, FLK207XV, FLX257XV |
0 – 18
|
1,9*
|
7,5*
|
8,0
|
1,0
|
производство
|
| МС27-1 | FLX257XV, BCP240C, TGF2022-24 |
0 – 18
|
2,2*
|
7,2*
|
8,0
|
1,2
|
производство
|
| МС27-1С | FLX257XV, BCP240C, TGF2022-24 |
0 – 18
|
2,2*
|
7,2*
|
8,0
|
1,2
|
производство
|
| МС28С | FLX257XV, FLC167WF |
0 – 18
|
2,2*
|
7,0*
|
8,0
|
1,3
|
производство
|
| МС36-2С | TGF2021-04, AM030WH2 |
0 – 14
|
2,8**
|
7,2**
|
8,0
|
1,5
|
производство
|
| МС40С | TGF2021-04, AM030WH2 |
0 – 14
|
3,2**
|
7,0**
|
8,0
|
1,8
|
производство
|
* Fизм = 18 ГГц; ** Fизм = 14 ГГц
GaN НЕМТ транзисторы
Наименование |
Аналог |
ΔF, ГГц |
P3дБ, Вт |
Ку, дБ |
Uси, В |
Iси.пок, А |
Примечание |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| МС3К | TGF2023-02, TGF2023-2-02 |
0 – 18
|
10*
|
18,0*
|
28,0
|
0,125
|
разработка
|
| МС4К2 | CG2H80015D |
0 – 18
|
15**
|
12,0**
|
28,0
|
0,3
|
разработка
|
| МС8К4 | CGH60030D, CG2H80030D |
0 – 8
|
30**
|
12,0**
|
28,0
|
0,4
|
разработка
|
* Fизм = 18 ГГц; ** Fизм = 8 ГГц
GaAs аттенюаторы
Наименование |
Аналог |
ΔF, ГГц |
Кол-во разрядов |
Мин. дискрет, дБ |
Lнач, дБ |
Pвх.макс, мВт |
Примечание |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MSP101D | MAATGM00040D, XA1000-BD, VWA5000055А |
0 – 20
|
5
|
0,9
|
5,0
|
500
|
производство
|
| MSP106V | NDAC05005, AP106V |
2 – 20
|
1
|
20
|
3,0
|
500
|
разработка
|
|
MSD107V
|
HMC802LP3E, NDAC05005 |
6 – 9
|
1
|
20
|
0,8
|
500
|
производство
|
|
MSD108V
|
NDAC05005 |
4 – 8
|
1
|
20
|
1,3
|
500
|
производство
|
|
MSD109V
|
VRFC0009-16-BD, NDAC05005 |
5 – 10
|
1
|
20
|
1,1
|
500
|
производство
|
GaAs core-chip
Наименование |
Аналог |
ΔF, ГГц |
P1дБ, мВт |
Кур.прм / Кур.прд, дБ |
Мин. дискрет АТТ, дБ |
Мин. дискрет ФВ, град |
Кол-во разрядов АТТ/ФВ |
Примечание |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MSP003D
|
VWA5000049AA |
8 – 11
|
50
|
20
|
0,9
|
5,625
|
5/6
|
разработка
|
| MSP010D | - |
15,5 – 17
|
50
|
17
|
0,5
|
5,625
|
6/6
|
разработка
|
