Импортозамещающая ЭКБ
Вниманию разработчиков, производителей модулей и устройств, заинтересованных в локализации своей продукции!
Представляем перечень изделий разработки и производства АО «Микроволновые системы» – аналогов ЭКБ иностранного производства.
Приглашаем к сотрудничеству!
GaAs усилители мощности
Наименование |
Аналог |
ΔF, ГГц |
Pвых, мВт |
Ку, дБ |
ΔКу, дБ |
Кш, дБ |
Uпит, В |
Примечание |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
МС3058-2
|
AB1520AD, HMC463, HMC462, HMC-ALD102 |
2 – 20
|
40
|
14,0
|
3,0
|
5,0
|
+8,0
|
производство
|
|
МС4000
|
CMM4000-BD, TGA1342-SCC |
2 – 18
|
100
|
9,0
|
3,0
|
-
|
+8,0
|
производство
|
|
МС0014
|
CMM0014-BD |
2 – 20
|
200
|
12,0
|
3,0
|
-
|
+8,0
|
производство
|
|
МС120-2
|
BW1765, ASL4044, CMD201 |
5 – 18
|
1000
|
10,0
|
1,5
|
-
|
+8,0
-5,0 |
производство
|
GaAs pНЕМТ транзисторы
Наименование |
Аналог |
ΔF, ГГц |
P1дБ, Вт |
Куp, дБ |
Uси |
Iси.нач |
Примечание |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| МС14-2 | BCP080C, BCP120C, AM010WH2, MwT-PH8F, MwT-PH31F | 0 – 18 | 1,1* | 8,0* | 8,0 | 0,6 | производство
|
| МС24С | TGF2160, BCP160C, BCP240C, TGF2022-24, FLK207XV, FLX257XV | 0 – 18 | 1,9* | 7,5* | 8,0 | 1,0 | производство
|
| МС24-2С | TGF2160, BCP160C, BCP240C, TGF2022-24, FLK207XV, FLX257XV | 0 – 18 | 1,9* | 7,5* | 8,0 | 1,0 | производство
|
| МС27-1 | FLX257XV, BCP240C, TGF2022-24 | 0 – 18 | 2,2* | 7,2* | 8,0 | 1,2 | производство
|
| МС27-1С | FLX257XV, BCP240C, TGF2022-24 | 0 – 18 | 2,2* | 7,2* | 8,0 | 1,2 | производство
|
| МС28С | FLX257XV, FLC167WF | 0 – 18 | 2,2* | 7,0* | 8,0 | 1,3 | производство
|
| МС36-2С | TGF2021-04, AM030WH2 | 0 – 14 | 2,8** | 7,2** | 8,0 | 1,5 | производство
|
| МС40С | TGF2021-04, AM030WH2 | 0 – 14 | 3,2** | 7,0** | 8,0 | 1,8 | производство
|
* – Fизм = 18 ГГц; ** – Fизм = 14 ГГц
GaN НЕМТ транзисторы
Наименование |
Аналог |
ΔF, ГГц |
P3дБ, Вт |
Куp, дБ |
Uси, В |
Iси.пок, А |
Примечание |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| МС3К | TGF2023-02, TGF2023-2-02 |
0 – 18
|
10*
|
18,0*
|
28,0
|
0,125
|
разработка
|
| МС4К2 | CG2H80015D |
0 – 18
|
15**
|
12,0**
|
28,0
|
0,3
|
разработка
|
| МС8К4 | CGH60030D, CG2H80030D |
0 – 8
|
30**
|
12,0**
|
28,0
|
0,4
|
разработка
|
* – Fизм = 18 ГГц; ** – Fизм = 8 ГГц
GaAs аттенюаторы
Наименование |
Аналог |
ΔF, ГГц |
Кол-во разрядов |
Мин. дискрет, дБ |
Lнач, дБ |
Pвх.макс, мВт |
Примечание |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MSP101D | MAATGM00040D, XA1000-BD, VWA5000055А | 0 – 20 | 5 | 0,9 | 5,0 | 500 | производство
|
| MSP106V | NDAC05005, AP106V | 2 – 20 | 1 | 20 | 3,0 | 500 | разработка
|
|
MSD107V
|
HMC802LP3E, NDAC05005 | 6 – 9 | 1 | 20 | 0,8 | 500 | производство
|
|
MSD108V
|
NDAC05005 | 4 – 8 | 1 | 20 | 1,3 | 500 | производство
|
|
MSD109V
|
VRFC0009-16-BD, NDAC05005 | 5 – 10 | 1 | 20 | 1,1 | 500 | производство
|
GaAs core-chip
Наименование |
Аналог |
ΔF, ГГц |
P1дБ, мВт |
Кур.прм / Кур.прд, дБ |
Мин. дискрет АТТ, дБ |
Мин. дискрет ФВ, град |
Кол-во разрядов АТТ/ФВ |
Примечание |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MSP003D
|
VWA5000049AA | 8 – 11 | 50 | 20 | 0,9 | 5,625 | 5/6 | разработка
|
| MSP010D | - | 15,5 – 17 | 50 | 17 | 0,5 | 5,625 | 6/6 | разработка
|
