MWSystems.ru • Продукция • Импортозамещающая ЭКБ

Импортозамещающая ЭКБ

Вниманию разработчиков, производителей модулей и устройств, заинтересованных в локализации своей продукции!
Представляем перечень изделий разработки и производства АО «Микроволновые системы» – аналогов ЭКБ иностранного производства.
Приглашаем к сотрудничеству!

GaAs усилители мощности

Наименование	Аналог	ΔF, ГГц	Pвых, мВт	Ку, дБ	ΔКу, дБ	Кш, дБ	Uпит, В	Примечание
МС3058-2	AB1520AD, HMC463, HMC462, HMC-ALD102	2 – 20	40	14,0	3,0	5,0	+8,0	производство
МС4000	CMM4000-BD, TGA1342-SCC	2 – 18	100	9,0	3,0	-	+8,0	производство
МС0014	CMM0014-BD	2 – 20	200	12,0	3,0	-	+8,0	производство
МС120-2	BW1765, ASL4044, CMD201	5 – 18	1000	10,0	1,5	-	+8,0 -5,0	производство

GaAs pНЕМТ транзисторы (МКШУ.460871.048 ТУ)

Наименование	Аналог	ΔF, ГГц	P1дБ, Вт	Ку, дБ	Uси	Iси.нач	Примечание
МС14-2	BCP080C, BCP120C, AM010WH2, MwT-PH8F, MwT-PH31F	0 – 18	1,1*	8,0*	8,0	0,6	производство
МС24С	TGF2160, BCP160C, BCP240C, TGF2022-24, FLK207XV, FLX257XV	0 – 18	1,9*	7,5*	8,0	1,0	производство
МС24-2С	TGF2160, BCP160C, BCP240C, TGF2022-24, FLK207XV, FLX257XV	0 – 18	1,9*	7,5*	8,0	1,0	производство
МС27-1	FLX257XV, BCP240C, TGF2022-24	0 – 18	2,2*	7,2*	8,0	1,2	производство
МС27-1С	FLX257XV, BCP240C, TGF2022-24	0 – 18	2,2*	7,2*	8,0	1,2	производство
МС28С	FLX257XV, FLC167WF	0 – 18	2,2*	7,0*	8,0	1,3	производство
МС36-2С	TGF2021-04, AM030WH2	0 – 14	2,8**	7,2**	8,0	1,5	производство
МС40С	TGF2021-04, AM030WH2	0 – 14	3,2**	7,0**	8,0	1,8	производство

* Fизм = 18 ГГц; ** Fизм = 14 ГГц

GaN НЕМТ транзисторы (МКШУ.460871.055 ТУ)

Наименование	Аналог	ΔF, ГГц	P3дБ, Вт	Ку, дБ	Uси, В	Iси.нач	Iси.пок, А	Примечание
МС1К Новинка	TGF2023-01, CGHV1J006D, D2J015DB2, JD18W303	0 – 18	4*	9,0*	28	0.75	-	производство
МС1К5 Новинка	TGF2023-2-01, CGHV1J006D, BCG008D, D2J015DB2, JD18W303	0 – 18	6*	9,0*	28	1.1	-	производство
МС2К Новинка	TGF2023-02	0 – 18	8*	8,0*	28	1.5	-	производство
МС2К25 Новинка	TGF2023-02, TGF2023-2-02, CGH60008D, UJ013-015B2, GD18W303	0 – 18	9*	9,0*	28	1.7	-	производство
МС2К7 Новинка	TGF2023-02, TGF2023-2-02	0 – 18	11*	11,0*	28	2.0	-	производство
МС3К	TGF2023-02, TGF2023-2-02, UJ013-015B2	0 – 14	12**	9,0**	28,0	2,4	0,125	производство
МС4К2	CGH60015D, GD21W328	0 – 14	15**	8,0**	28,0	3,5	0,3	производство
МС8К4	TGF2023-2-05, CGH60030D, CHK9014-99F, CG2H80030D, D2J055DA2	0 – 14	25**	8,0**	28,0	6.7	0,4	производство

* Fизм = 18 ГГц; ** Fизм = 14 ГГц

GaAs аттенюаторы

Наименование	Аналог	ΔF, ГГц	Кол-во разрядов	Мин. дискрет, дБ	Lнач, дБ	Pвх1дБ, Вт	Pвх.макс, Вт	Примечание
MSP101D	MAATGM00040D, XA1000-BD, VWA5000055А	0 – 20	5	0,9	5,0	0,5	0,5	разработка
MSP106V	NDAC05005, AP106V	2 – 20	1	20	3,0	0,5	0,5	разработка
MSD107V	HMC802LP3E, NDAC05005	4 – 9	1	20	0,8	0,1	0,5	производство
MSD108V	NDAC05005	2,8 – 15	1	20	1,0	0,1	0,5	производство
MSD109V	VRFC0009-16-BD, NDAC05005	5 – 12	1	20	0,9	0,1	0,5	производство

GaAs векторные модуляторы

Наименование	Аналог	ΔF, ГГц	P1дБ, мВт	Кур.прм / Кур.прд, дБ	Мин. дискрет АТТ, дБ	Мин. дискрет ФВ, град	Кол-во разрядов АТТ/ФВ	Примечание
MSP012D Новинка	-	8 – 11	100	–2,7	0,5	1,4	3/2	производство
MSP003D	VWA5000049AA	8 – 11	100	18 / 18	0,9	5,625	5/6	производство
MSP010D	-	15,5 – 17	50	17 / 17	0,5	5,625	6/6	разработка

GaAs/GaN импульсные усилители мощности

Наименование	Аналог	ΔF, ГГц	Pвых, Вт	Ку, дБ	Uпит, В	Тип корпуса	Примечание
MSN560V Новинка	-	8 – 11	12	20	+28,0 -1,2	кристалл	разработка
МС551	QPA0007	7,8 – 10,5	20	40	+25,0 +6,0 -5,0	QFN 7х7 мм	временно не производится
М1603В	AM08011041WM-SN-R	8,5 – 9,7	13	20	+28,0 -5,0	SMD 8,2x16,5 мм	временно не производится

GaAs усилители малошумящие

Наименование	Аналог	ΔF, ГГц	Кш, дБ	Ку, дБ	Р_1дБ	U пит., В	Iпотр., мА	Примечание
MSP013D Новинка	TGA2612	6-12	2,1	17,5	30	5,0	95	производство
MSP504V Новинка	ASL1013, CMD271	8-12	0,8	20,5	25	5,0	75	разработка
MSP506V Новинка	CHA3801-99F	1-2	1,5	16,5	30	5,0	85	разработка