Главная Производство НИОКР Публикации Новости Контакты English version
___
АО «Микроволновые системы»
Разработка и производство твердотельных модулей СВЧ
   
Импортозамещающая ЭКБ

Импортозамещающая ЭКБ

Вниманию разработчиков, производителей модулей и устройств, заинтересованных в локализации своей продукции!
Представляем перечень изделий разработки и производства АО «Микроволновые системы» – аналогов ЭКБ иностранного производства.
Приглашаем к сотрудничеству!

 

GaAs усилители мощности

Наименование
Аналог
ΔF, ГГц
Pвых, мВт
Ку, дБ
ΔКу, дБ
Кш, дБ
Uпит, В
Примечание
AB1520AD, HMC463, HMC462, HMC-ALD102 2 – 20 40 14,0 3,0 5,0 +8,0 производство
CMM4000-BD, TGA1342-SCC 2 – 18 100 9,0 3,0 - +8,0 производство
CMM0014-BD 2 – 20 200 12,0 3,0 - +8,0 производство
BW1765, ASL4044, CMD201 5 – 18 1000 10,0 1,5 - +8,0
-5,0
производство

GaAs pНЕМТ транзисторы

Наименование
Аналог
ΔF, ГГц
P1дБ, Вт
Куp, дБ
Uси
Iси.нач
Примечание
МС14-2 BCP160C, BCP120C, AM010WH2, MwT-PH8F, MwT-PH31F 0 – 18 1,1* 8,0* 8,0 0,6 производство
МС24С FLK207XV, BCP240C, TGF2022-24 0 – 18 1,9* 7,5* 8,0 1,0 производство
МС24-2С FLK207XV, BCP240C, TGF2022-24 0 – 18 1,9* 7,5* 8,0 1,0 производство
МС27-1 FLX257XV, BCP240C, TGF2022-24 0 – 18 2,2* 7,2* 8,0 1,2 производство
МС27-1С FLX257XV, BCP240C, TGF2022-24 0 – 18 2,2* 7,2* 8,0 1,2 производство
МС28С FLX257XV, FLC167WF 0 – 18 2,2* 7,0* 8,0 1,2 производство
МС36-2С TGF2021-04 0 – 14 2,8** 7,2** 8,0 1,5 производство
МС40С TGF2021-04 0 – 14 3,2** 7,0** 8,0 1,8 производство
* – Fизм = 18 ГГц; ** – Fизм = 14 ГГц

GaN НЕМТ транзисторы

Наименование
Аналог
ΔF, ГГц
P3дБ, Вт
Куp, дБ
Uси, В
Iси.пок, А
Примечание
МС3К TGF2023-02, TGF2023-2-02 0 – 18 10* 18,0* 28,0 0,125 разработка
МС4К2 CG2H80015D 0 – 18 15** 12,0** 28,0 0,3 разработка
МС8К4 CGH60030D, CG2H80030D 0 – 8 30** 12,0** 28,0 0,4 разработка
* – Fизм = 18 ГГц; ** – Fизм = 8 ГГц

GaAs аттенюаторы

Наименование
Аналог
ΔF, ГГц
Кол-во разрядов
Мин. дискрет, дБ
Lнач, дБ
Pвх.макс, мВт
Примечание
MSP101D MAATGM00040D, XA1000-BD, VWA5000055А 0 – 20 5 0,9 5,0 500 производство
MSP106V NDAC05005, AP106V 2 – 20 1 20 3,0 500 разработка
MSD107V HMC802LP3E 6 – 9 1 20 0,7 500 разработка
MSD108V - 4 – 18 1 20 1,1 500 разработка
MSD109V VRFC0009-16-BD 7,5 – 11 1 20 0,7 500 разработка

GaAs core-chip

Наименование
Аналог
ΔF, ГГц
P1дБ, мВт
Кур.прм / Кур.прд, дБ
Мин. дискрет АТТ, дБ
Мин. дискрет ФВ, град
Кол-во разрядов АТТ/ФВ
Примечание
MSP003D VWA5000049AA 8 – 11 50 20 0,9 5,625 5/6 разработка
MSP010D - 15,5 – 17 50 17 0,5 5,625 6/6 разработка

GaAs/GaN импульсные усилители мощности

Наименование
Аналог
ΔF, ГГц
Pвых, Вт
Ку, дБ
Uпит, В
Тип корпуса
Примечание
QPA0007 7,8 – 10,5 20 40 +25,0
+6,0
-5,0
QFN 7х7 мм экспериментальный
временно не поставляется
AM08011041WM-SN-R 8,5 – 9,7 13 20 +28,0
-5,0
SMD 8,2x16,5 мм производство