Импортозамещающая ЭКБ
Вниманию разработчиков, производителей модулей и устройств, заинтересованных в локализации своей продукции!
Представляем перечень изделий разработки и производства АО «Микроволновые системы» – аналогов ЭКБ иностранного производства.
Приглашаем к сотрудничеству!
GaAs усилители мощности
Наименование |
Аналог |
ΔF, ГГц |
Pвых, мВт |
Ку, дБ |
ΔКу, дБ |
Кш, дБ |
Uпит, В |
Примечание |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
МС3058-2
|
AB1520AD, HMC463, HMC462, HMC-ALD102 | 2 – 20 | 40 | 14,0 | 3,0 | 5,0 | +8,0 | производство
|
|
МС4000
|
CMM4000-BD, TGA1342-SCC | 2 – 18 | 100 | 9,0 | 3,0 | - | +8,0 | производство
|
|
МС0014
|
CMM0014-BD | 2 – 20 | 200 | 12,0 | 3,0 | - | +8,0 | производство
|
|
МС120-2
|
BW1765, ASL4044, CMD201 | 5 – 18 | 1000 | 10,0 | 1,5 | - | +8,0 -5,0 |
производство
|
GaAs pНЕМТ транзисторы
Наименование |
Аналог |
ΔF, ГГц |
P1дБ, Вт |
Куp, дБ |
Uси |
Iси.нач |
Примечание |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| МС14-2 | BCP160C, BCP120C, AM010WH2, MwT-PH8F, MwT-PH31F | 0 – 18 | 1,1* | 8,0* | 8,0 | 0,6 | производство
|
| МС24С | FLK207XV, BCP240C, TGF2022-24 | 0 – 18 | 1,9* | 7,5* | 8,0 | 1,0 | производство
|
| МС24-2С | FLK207XV, BCP240C, TGF2022-24 | 0 – 18 | 1,9* | 7,5* | 8,0 | 1,0 | производство
|
| МС27-1 | FLX257XV, BCP240C, TGF2022-24 | 0 – 18 | 2,2* | 7,2* | 8,0 | 1,2 | производство
|
| МС27-1С | FLX257XV, BCP240C, TGF2022-24 | 0 – 18 | 2,2* | 7,2* | 8,0 | 1,2 | производство
|
| МС28С | FLX257XV, FLC167WF | 0 – 18 | 2,2* | 7,0* | 8,0 | 1,2 | производство
|
| МС36-2С | TGF2021-04 | 0 – 14 | 2,8** | 7,2** | 8,0 | 1,5 | производство
|
| МС40С | TGF2021-04 | 0 – 14 | 3,2** | 7,0** | 8,0 | 1,8 | производство
|
* – Fизм = 18 ГГц; ** – Fизм = 14 ГГц
GaN НЕМТ транзисторы
Наименование |
Аналог |
ΔF, ГГц |
P3дБ, Вт |
Куp, дБ |
Uси, В |
Iси.пок, А |
Примечание |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| МС3К | TGF2023-02, TGF2023-2-02 | 0 – 18 | 10* | 18,0* | 28,0 | 0,125 | разработка
|
| МС4К2 | CG2H80015D | 0 – 18 | 15** | 12,0** | 28,0 | 0,3 | разработка
|
| МС8К4 | CGH60030D, CG2H80030D | 0 – 8 | 30** | 12,0** | 28,0 | 0,4 | разработка
|
* – Fизм = 18 ГГц; ** – Fизм = 8 ГГц
GaAs аттенюаторы
Наименование |
Аналог |
ΔF, ГГц |
Кол-во разрядов |
Мин. дискрет, дБ |
Lнач, дБ |
Pвх.макс, мВт |
Примечание |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MSP101D | MAATGM00040D, XA1000-BD, VWA5000055А | 0 – 20 | 5 | 0,9 | 5,0 | 500 | производство
|
| MSP106V | NDAC05005, AP106V | 2 – 20 | 1 | 20 | 3,0 | 500 | разработка
|
| MSD107V | HMC802LP3E | 6 – 9 | 1 | 20 | 0,7 | 500 | разработка
|
| MSD108V | - | 4 – 18 | 1 | 20 | 1,1 | 500 | разработка
|
| MSD109V | VRFC0009-16-BD | 7,5 – 11 | 1 | 20 | 0,7 | 500 | разработка
|
GaAs core-chip
Наименование |
Аналог |
ΔF, ГГц |
P1дБ, мВт |
Кур.прм / Кур.прд, дБ |
Мин. дискрет АТТ, дБ |
Мин. дискрет ФВ, град |
Кол-во разрядов АТТ/ФВ |
Примечание |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MSP003D | VWA5000049AA | 8 – 11 | 50 | 20 | 0,9 | 5,625 | 5/6 | разработка
|
| MSP010D | - | 15,5 – 17 | 50 | 17 | 0,5 | 5,625 | 6/6 | разработка
|
