Главная Производство НИОКР Публикации Новости Контакты English version
___
АО «Микроволновые системы»
Разработка и производство твердотельных модулей СВЧ
   
GaAs малошумящие усилители

MSP013D

Описание:

MSP013D – СВЧ модуль (бескорпусной) малошумящего усилителя с «байпас»-каналом, предназначенный для использования в различных приложениях и системах, работающих в диапазоне частот 6 – 12 ГГц, и обеспечивающий либо прямое прохождение сигнала со входа на выход (режим «Bypass»), либо усиление сигнала (режим «Gain»). Интегрированный драйвер управления позволяет выполнять переключение режимов стандартными уровнями ТТЛ. Изделие выполнено на основе GaAs pHEMT процесса с топологической нормой 0.15 мкм. Защитное покрытие – нитрид кремния.

Исполнение:

Модуль СВЧ бескорпусной (кристалл)

Основные особенности:

  • Диапазон рабочих частот 6 – 12 ГГц
  • Возможность работы в режимах «Gain» и «Bypass»
  • Коэффициент усиления 17.5дБ в режиме «Gain»
  • Коэффициент шума 2.1 дБ в режиме «Gain»
  • Выходная мощность 15 дБм (P1дБ) в режиме «Gain»
  • Вносимые потери 2.5 дБ в режиме «Bypass»
  • Интегрированный драйвер управления
  • 100 % контроль НЧ и СВЧ параметров
  • 100 % визуальный контроль

 

Основные электрические характеристики (Т=25°С)

Наименование параметра

Обозначение

Единицы измерения

Значение

Мин.

Тип.

Макс.

Рабочий диапазон частот

ΔF

ГГц

 

6 – 12

 

Коэффициент усиления в режиме Gain

S21(Gain)

дБ

 

17.5

 

Коэффициент передачи в режиме Bypass

S21(Bypass)

дБ

 

- 2.5

 

Коэффициент отражения от входа, режимы «Gain»/«Bypass»

S11

дБ

 

 

- 17

Коэффициент отражения от выхода, режимы «Gain»/»Bypass»

S22

дБ

 

 

- 17

Вых. мощность при компрессии Ку на 1 дБ, режим «Gain»

P1dB(Gain)

дБм

 

15

 

Вх. мощность при компрессии Кп на 1 дБ, режим «Bypass»

P1dB(Bypass)

дБм

 

23

 

Коэффициент шума в режиме «Gain»

NF(Gain)

дБ

 

 

2.1

Напряжение питания усилителя (VD1, VD2)

VD

В

 

+ 5

 

Напряжение питания драйвера управления

VSS

В

 

– 5

 

Напряжение управления высокого уровня (VH)

VLH

В

+ 2.2

+ 3.3

+ 5.0

Напряжение управления низкого уровня (VL)

VLL

В

0

+ 0.7

Ток потребления по цепи VD = + 5 В

IVD

мА

 

95

 

Ток потребления по цепи VSS = – 5 В

IVSS

мА

 

3

 


Документация

Техническое описание

Дополнительная информация

Новости. Свидетельства о государственной регистрации топологий интегральных микросхем

Интеллектуальная собственность