Публикации
И.О. Метелкин, С.В. Миннебаев
Доклад о разработке программного обеспечения для восстановления параметров SPICE-моделей с использованием симулятора электрических схем Ngspice.
Кищинский А. А., Кондратенко А. В., Бутерин А. В., Иванов А. В., Шишкин Д. А., Сорвачев П. С., Щербаков А. С., Миннебаев В. М., Миннебаев С. В., Редька Ал. В.
Представлены результаты разработки и испытаний универсального ППК Х-диапазона на основе СВЧ МИС разработки АО «Микроволновые системы».
А.А. Кищинский, А.В. Кондратенко, Д.А. Шишкин, П.С. Сорвачев, В.М. Миннебаев, С.В. Миннебаев
В докладе представлены примеры из практики АО «Микроволновые системы» в части разработки и производства монолитных интегральных схем СВЧ на основе GaAs и GaN.
А. Кищинский, В. Миннебаев. АО «Микроволновые системы»
По итогам семинара-совещания GaN-2022 опубликована статья в журнале Электроника НТБ
Рассказывает заместитель генерального директора по развитию электронной компонентной базы АО «Микроволновые системы» В. М. Миннебаев
Опубликовано в журнале «Электроника. НТБ», 2022г., № 6
П.С. Сорвачев, А.В. Кондратенко. Обособленное подразделение АО «Микроволновые системы» в г. Нижний Новгород.
Обособленное подразделение АО «Микроволновые системы» в г. Нижний Новгород.
Опубликовано в Сборнике статей XI Всероссийской научно-технической конференции «Электроника и микроэлектроника СВЧ», Санкт-Петербург, СПбГЭТУ «ЛЭТИ»,
30 мая – 3 июня 2022г.
А.В. Радченко, С.В. Гармаш, А.А. Кищинский
Данная статья написана по материалам доклада (A.Radchenko, S.Garmash, A.Kishchinsky.1-6 GHz 35W Balanced GaN-HEMT Power Amplifier with Innovative Quadrature Couplers. Proceedings of the 16th European Microwave Integrated Circuits Conference, 2021, Р.265-268), опубликованном в сборнике материалов конференции.
В. Миронюк. Электроника НТБ. Выпуск #10/2021
Компания «Микроволновые системы» была организована в 2004 году. В настоящее время предприятие проектирует, собирает и настраивает современные СВЧ-модули. Продолжая заниматься традиционной для себя тематикой – широкополосными СВЧ-усилителями мощности и малошумящими усилителями – компания расширяет спектр своей деятельности.
Радченко А. В., Гармаш С. В.
В докладе приведена конструкция и представлены характеристики усилителя СВЧ мощности диапазона 1 – 6 ГГц на основе нитрид-галлиевых балансных схем с выходной мощностью более 30 Вт и КПД от 23 до 35% с однополярным питанием 27 В.
Андреев А.С., Кищинский А.А, Радченко А. В.
В докладе приведена конструкция и представлены характеристики малошумящего усилителя мощности в диапазоне частот 8-11 ГГц с коэффициентом шума не более 2 дБ и выходной мощностью более 500 мВт.
А.Кищинский. АО "Микроволновые системы"
Итоги семинара-совещания на тему «Актуальные вопросы разработки и применения СВЧ-компонентов и приборов на основе технологии нитрида галлия», который прошел 12-13 ноября 2020 г.
Электроника НТБ. Выпуск #9/2019
Компания «Микроволновые системы» отмечает в этом году юбилей – 15 лет. О том, как создавалась компания, каких успехов достигла за прошедшие годы, а также о современных мировых тенденциях в области СВЧ и возможностях российских компаний в создании передовых решений, конкурентоспособных на глобальном рынке СВЧ-устройств, читайте в интервью с одним из основателей компании, заместителем генерального директора, главным конструктором АО «Микроволновые системы» Андреем Александровичем Кищинским.
Гармаш С.В., Городецкий А.Ю., Захарова О.А., Кищинский А.А.
Представлены результаты разработки и исследования параметров образцов усилителей мощности с выходной непрерывной мощностью 150-200 Вт в диапазонах частот 3,4–3,9 и 7,3–7,6 ГГц, построенных по схеме суммирования мощностей 8-ми гибридно-интегральных модулей с нитрид-галлиевыми транзисторами.
Гармаш С.В., Кищинский А.А., Маркелова Т.А., Радченко А.В. Статья опубликована в журнале «СВЧ Электроника» №1 2019 г.
В статье представлены результаты разработки и практической реализации широкополосных монолитных интегральных СВЧ усилителей диапазон частот 5 – 18 ГГц с выходной мощностью 1,5 Вт и 0,9 Вт
Радченко А.В.
В докладе описана конструкция и приведены характеристики сверхширокополосного твердотельного усилителя СВЧ мощности на основе со- временных монолитных интегральных схем, обеспечивающего в рабочем диапазоне частот от 5 до 18 ГГц выходную мощность более 12 – 16 Вт и КПД от 14 до 20%
С.Гармаш, А.Кищинский, Е.Маркинов, А.Радченко, Д.Суханов. АО "Микроволновые системы""
Рассмотрены успехи компании ''Микроволновые системы'' в разработке широкого спектра СВЧ-изделий, в том числе широкополосных твердотельных СВЧ-усилителей с привлекательным соотношением цена/качество, по своим параметрам не уступающих мировым...
Кищинский А.А., Суханов Д.А.
В представляемой работе обобщаются результаты разработки и исследования параметров экспериментального образца усилителя мощности S-диапазона с октавной полосой частот и выходной мощностью 300-400 Вт в режиме усиления непрерывных колебаний.
Зимин Р.А., Кищинский А.А., Суханов Д.А.
В статье обобщаются результаты разработки и исследования параметров универсального широкополосного усилительного модуля диапазона 2-4 ГГц с выходной мощностью 35-50Вт в режиме усиления непрерывных колебаний при коэффициенте усиления 45 дБ. Применение нитрид-галлиевых (GaN) транзисторов позволило одновременно в 1,5-2 раза улучшить все основные параметры усилителя (габариты, массу, КПД, выходную мощность) по сравнению с выпускавшимся ранее аналогичным прибором на арсенид-галлиевых (GaAs) транзисторах.
Маркинов Е.Г., Радченко А.В.
Рассматриваются конструкции разработанных металлокерамических микрокорпусов, возможных изделий, изготовленных на их основе. Показана конструкция сверхширокополосного интегрального усилителя мощности в корпусе поверхностного монтажа, а также рассмотрена конструкция контактного устройства для измерения электрических параметров модулей в корпусах поверхностного монтажа.
Кищинский А.А., Поляков Г.Б., Радченко А.В.
Рассматривается конструкция модуля широкополосного дискретного фазовращателя С-диапазона с перекрытием по частоте 2:1, обеспечиваю щего возможность управления фазой сигнала от 0 до 354 градусов с шагом 6 градусов и минимальной паразитной амплитудной модуляцией. Показана структурная схема и конструкция модуля, рассмотрен принцип работы и калибровки фазовых состояний
Радченко А.В., Радченко В.В.
Разработан ряд мощных полосовых фильтров на основе двух встречно направленных гребенок прямоугольных резонаторов с лицевой связью, размещенных в запредельном волноводе, и предназначенных для установки в симметричную полосковую линию. Приведены результаты расчетов и измерений параметров изготовленных фильтров 4-х поддиапазонов частот в L- и S- диапазонах. Фильтры обеспечивают полосу пропускания полезного сигнала ½ октавы с потерями не хуже 0,8 дБ, подавление 2 и 3 гармоники сигнала не менее 60 дБ и способные пропускать непрерывную мощность не менее 200 Вт
Гармаш С.В.
В докладе изложены результаты разработки усилителя мощности диапазона частот 4 - 12 ГГц с выходной мощностью в непрерывном режиме 13 - 18 Вт. Приведены экспериментальные характеристики образцов усилителей, обсуждаются особенности построения, конструкции и технологии сборки.
Гармаш С.В., Кищинский А.А., Маркинов Е.Г. Доклад опубликован в материалах 19 Крымской конференции "СВЧ техника и телекоммуникационные технологии", Севастополь, Вебер, 2009 г.
В докладе изложены результаты разработки и экспериментального исследования усилителя мощности диапазона частот 4-8 ГГц с выходной мощностью в линейном режиме более 8 Вт. Приведены экспериментальные характеристики усилителя, особенности построения, конструкции и технологии сборки.
Гармаш С.В., Кищинский А.А., Радченко А.В. Доклад опубликован в материалах 19 Крымской конференции "СВЧ техника и телекоммуникационные технологии", Севастополь, Вебер, 2009 г.
В докладе изложены результаты разработки и экспериментального исследования квазимонолитного транзисторного усилителя диапазона 8-18 ГГц с выходной мощностью в линейном режиме более 2 Вт. Приведены экспериментальные характеристики изготовленных образцов усилителей, рассматриваются особенности их построения, конструкция и технология сборки.
Баранов В.В., Зимин Р.А., Кищинский А.А., Матвеев А.Д., Суханов Д.А.
В докладе изложены результаты разработки и экспериментального исследования широкополосных усилителей дециметрового (0.5-2.5 ГГц) диапазона с выходными мощностями в непрерывном режиме от 20 до 200 Вт, выполненных на основе карбид-кремниевых полевых транзисторов.
Бочкарев Д.В., Никитин Д.В, Кищинский А.А., Радченко А.В. Доклад опубликован в материалах 19 Крымской конференции "СВЧ техника и телекоммуникационные технологии", Севастополь, Вебер, 2009 г.
В докладе изложены результаты экспериментального исследования параметров усилительных модулей, построенных по схеме двух- и четырехканального суммирования мощностей серийно-выпускаемых широкополосных транзисторных усилителей диапазона 2-4 ГГц, реализованы макеты модулей с октавной полосой и выходной непрерывной мощностью 50 и 100 Вт.
Кищинский А.А. Доклад опубликован в материалах 16 Крымской конференции "СВЧ техника и телекоммуникационные технологии", Севастополь, Вебер, 2006 г., стр. 171, 172.
В докладе изложены результаты разработки и экспериментального исследования параметров гибридно-интегральных усилительных каскадов на основе новых карбид-кремниевых (SiC) транзисторов CRF24010. Реализованы малогабаритные усилительные элементы в диапазоне 0.8-2.5 ГГц с усилением 9–10 дБ и выходной мощностью 10 и 20 Вт.
С.М. Доровских. Статья опубликована в журнале "Компоненты и технологии", 2006 г., №7, стр. 66-67
Технология сборки гибридно-интегральных схем (ГИС) СВЧ в опытном и мелкосерийном производстве представляет собой традиционно устоявшуюся последовательность операций монтажа. Развитие электроники по пути снижения себестоимости изделий и повышения производительности труда приводит к тому, что необходимо по-новому взглянуть на процесс изготовления приборов.
Кищинский А.А. Доклад опубликован в материалах 14-й Крымской конференции "СВЧ техника и телекоммуникационные технологии", Севастополь, Вебер, 2004 г., стр. 7-11.
В докладе рассмотрен мировой технический уровень и тенденции развития направления транзисторных усилителей мощности СВЧ и миллиметрового диапазона, транзисторов и монолитных интегральных схем повышенной мощности.
Гармаш С.В., Кищинский А.А.
Проведен анализ эффективности суммирования мощности схемами широкополосного суммирования, построенными на основе различных типов планарных сумматоров. Описаны конструкции и сравниваются характеристики трех типов выходных каскадов, построенных по различным схемам суммирования в диапазоне 4-8 ГГц. Приведены конструкция и характеристики усилителя мощности в диапазоне 4-8 ГГц, использующего делители-сумматоры бегущей волны и имеющего выходную мощность насыщения 3.9-4.5 Вт и усиление 36-38 дБ.
