Публикации

Представлен анализ технических и технологических решений, применяемых при конструировании сверхширокополосных транзисторных усилителей мощности СВЧ диапазона. Рассмотрены современные технологии и схемы построения монолитных интегральных усилителей мощности, достигнутые в промышленности и в разработках параметры, обсуждаются конструкции высокомощных усилителей. Приведены результаты ряда практических разработок, выполненных под руководством автора.

В статье представлены результаты разработки и практической реализации широкополосных монолитных интегральных СВЧ усилителей диапазон  частот 5 – 18 ГГц с выходной мощностью 1,5Вт и 0,9 Вт

В докладе описана конструкция и приведены характеристики сверхширокополосного твердотельного усилителя СВЧ мощности на основе со- временных монолитных интегральных схем, обеспечивающего в рабочем диапазоне частот от 5 до 18 ГГц выходную мощность более 12 – 16 Вт и КПД от 14 до 20%

Рассмотрены успехи компании "Микроволновые системы" в разработке широкого спектра СВЧ-изделий, в том числе широкополосных твердотельных СВЧ-усилителей с привлекательным соотношением цена/качество, по своим параметрам не уступающих мировым аналогам, а также перспективные многофункциональные СВЧ-модули.

В представляемой работе обобщаются результаты разработки и исследования параметров экспериментального образца усилителя мощности S- диапазона с октавной полосой частот и выходной мощностью 300-400 Вт в режиме усиления непрерывных колебаний. Усилитель построен по схеме 8- канального суммирования мощностей гибридно-интегральных усилительных модулей, выполненных на основе нитрид-галлиевых транзисторов в виде кристаллов. Каждый модуль имеет в нормальных климатических условиях выходную мощность 43-50 Вт при коэффициенте усиления 23 дБ и КПД по добавленной мощности 35-40%.

В статье обобщаются результаты разработки и исследования параметров универсального широкополосного усилительного модуля диапазона 2-4 ГГц с выходной мощностью 35-50Вт в режиме усиления непрерывных колебаний при коэффициенте усиления 45 дБ. Применение нитрид-галлиевых (GaN) транзисторов позволило одновременно в 1,5-2 раза улучшить все основные параметры усилителя (габариты, массу, КПД, выходную мощность) по сравнению с выпускавшимся ранее аналогичным прибором на арсенид-галлиевых (GaAs) транзисторах.

Рассматриваются конструкции разработанных металлокерамических микрокорпусов, возможных изделий, изготовленных на их основе. Показана конструкция сверхширокополосного интегрального усилителя мощности в корпусе поверхностного монтажа, а также рассмотрена конструкция контактного устройства для измерения электрических параметров модулей в корпусах поверхностного монтажа.

Рассматривается конструкция модуля широкополосного дискретного фазовращателя С-диапазона с перекрытием по частоте 2:1, обеспечиваю щего возможность управления фазой сигнала от 0 до 354 градусов с шагом 6 градусов и минимальной паразитной амплитудной модуляцией. Показана структурная схема и конструкция модуля, рассмотрен принцип работы и калибровки фазовых состояний

Разработан ряд мощных полосовых фильтров на основе двух встречно направленных гребенок прямоугольных резонаторов с лицевой связью, размещенных в запредельном волноводе, и предназначенных для установки в симметричную полосковую линию. Приведены результаты расчетов и измерений параметров  изготовленных  фильтров   4-х   поддиапазонов   частот   в   L-   и   S- диапазонах.  Фильтры  обеспечивают  полосу  пропускания  полезного   сигнала ½ октавы с потерями не хуже 0,8 дБ, подавление 2 и 3 гармоники сигнала не ме- нее 60 дБ и способные пропускать непрерывную мощность не менее 200 Вт

В докладе изложены результаты разработки и экспериментального исследования сверширокополосного транзисторного усилителя диапазона 6-18 ГГц с выходной мощностью в непрерывном режиме более 6 Вт. Приведены экспериментальные характеристики изготовленных образцов усилителей с различными транзисторами, рассматриваются особенности их построения, конструкция и технология сборки.