Публикации
В. М. Миннебаев
В статье представлены обзор тепловых и механических механизмов деградаций в GaN HFET, обусловленных физико-химическими особенностями применяемых материалов, ростовыми и постростовыми процессами, и способы купирования этих механизмов при разработке, производстве и эксплуатации.
А. Кищинский, В. Миннебаев
3–4 декабря 2024 года в Москве состоялась научно-техническая конференция «Радиоэлектроника СВЧ – технологии, компоненты, приборы, комплексы», посвященная 20-летию АО «Микроволновые системы». Опубликована вторая часть статьи в журнале «Электроника. НТБ».
А. Кищинский, В. Миннебаев
3–4 декабря 2024 года в Москве состоялась научно-техническая конференция «Радиоэлектроника СВЧ – технологии, компоненты, приборы, комплексы», посвященная 20-летию АО «Микроволновые системы». Опубликована статья в журнале «Электроника. НТБ».
Иванов А. В., Кондратенко А. В., Сорвачев П. С., Щербаков А. С.
Представлены результаты разработки и тестирования функционального блока последовательно-параллельного драйвера управления, выполненного на основе GaAs технологического процесса. Разработанный преобразователь кода можно как интегрировать в состав различных МИС СВЧ, так и реализовать в виде отдельного кристалла, где гибридная сборка более выгодна.
Опубликовано в сборнике тезисов «Российский форум «Микроэлектроника 2024». 10-я Научная конференция «ЭКБ и микроэлектронные модули». 23-28 сентября 2024 г. М.: ТЕХНОСФЕРА. С 420-421
Баринов Д. А., Гурьянов Н. О.
Представлены результаты разработки, изготовления и испытаний макета умножителя частоты на основе варикапа с резким переходом с низким уровнем вносимого фазового шума.
Опубликовано в сборнике тезисов «Российский форум «Микроэлектроника 2024». 10-я Научная конференция «ЭКБ и микроэлектронные модули». 23-28 сентября 2024 г. М.: ТЕХНОСФЕРА. С 411-412
И.О. Метелкин, С.В. Миннебаев, Д.А. Шишкин
Приведена методика экстракции параметров эквивалентной схемы GaN HEMT на основе нелинейной модели ASM-HEMT для расчета параметров СВЧ ИС, функционирующих в непрерывном режиме
А.В. Кондратенко, П.С. Сорвачев, А.С. Щербаков
В докладе представлены некоторые особенности схемотехнической и топологической реализации монолитной интегральной схемы управления амплитудой и фазой сигнала Ku- диапазона частот и результаты измерения электрических параметров опытных образцов
А.В. Бутерин, А.В. Иванов, А.С. Щербаков, А.В. Кондратенко, Д.А. Шишкин, П.С. Сорвачев
В докладе представлены результаты разработки комплекта монолитных интегральных схем: векторного модулятора (в иностранной терминологии – Core Chip), реализованного на основе технологического процесса 0,15 мкм GaAs pHEMT, и оконечного устройства (в иностранной терминологии – Front-End Module)
Кищинский А. А., Кондратенко А. В., Поляков Г.Б., Бутерин А. В., Иванов А. В., Шишкин Д. А., Сорвачев П. С., Щербаков А. С., Миннебаев В. М., Миннебаев С. В., Редька Ал. В.
Представлены результаты разработки и испытаний универсального ППК Х-диапазона на основе СВЧ МИС разработки АО «Микроволновые системы». Опубликовано в сборнике докладов Российского Форума МИКРОЭЛЕКТРОНИКА 2023.
И.О. Метелкин, С.В. Миннебаев
Доклад о разработке программного обеспечения для восстановления параметров SPICE-моделей с использованием симулятора электрических схем Ngspice.
А.А. Кищинский, А.В. Кондратенко, Д.А. Шишкин, П.С. Сорвачев, В.М. Миннебаев, С.В. Миннебаев
В докладе представлены примеры из практики АО «Микроволновые системы» в части разработки и производства монолитных интегральных схем СВЧ на основе GaAs и GaN.
А. Кищинский, В. Миннебаев. АО «Микроволновые системы»
По итогам семинара-совещания GaN-2022 опубликована статья в журнале Электроника НТБ
Рассказывает заместитель генерального директора по развитию электронной компонентной базы АО «Микроволновые системы» В. М. Миннебаев
Опубликовано в журнале «Электроника. НТБ», 2022г., № 6
П.С. Сорвачев, А.В. Кондратенко. Обособленное подразделение АО «Микроволновые системы» в г. Нижний Новгород.
Опубликовано в Сборнике статей XI Всероссийской научно-технической конференции «Электроника и микроэлектроника СВЧ», Санкт-Петербург, СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 30 мая – 3 июня 2022г.
А.В. Радченко, С.В. Гармаш, А.А. Кищинский
Данная статья написана по материалам доклада (A.Radchenko, S.Garmash, A.Kishchinsky. 1-6 GHz 35W Balanced GaN-HEMT Power Amplifier with Innovative Quadrature Couplers. Proceedings of the 16th European Microwave Integrated Circuits Conference, 2021, Р.265-268), опубликованном в сборнике материалов конференции.
В. Миронюк. Электроника НТБ. Выпуск #10/2021
Компания «Микроволновые системы» была организована в 2004 году. В настоящее время предприятие проектирует, собирает и настраивает современные СВЧ-модули. Продолжая заниматься традиционной для себя тематикой – широкополосными СВЧ-усилителями мощности и малошумящими усилителями – компания расширяет спектр своей деятельности.
Радченко А. В., Гармаш С. В.
В докладе приведена конструкция и представлены характеристики усилителя СВЧ мощности диапазона 1 – 6 ГГц на основе нитрид-галлиевых балансных схем с выходной мощностью более 30 Вт и КПД от 23 до 35% с однополярным питанием 27 В.
С.В. Гармаш
Рассмотрены возможности использования пассивных интегральных схем на подложках арсенида галлия в конструкции усилителя мощности для импульсных передатчиков Х-диапазона частот (8,5-9,7 ГГц с выходной мощностью 13-15 Вт). X Всероссийская научно-техническая конференция "Электроника и микроэлектроника СВЧ". Сборник докладов. Санкт-Петербург. 31 мая - 4 июня 2021 г. СПб.: СПбГЭТУ «ЛЭТИ».
Андреев А.С., Кищинский А.А, Радченко А. В.
В докладе приведена конструкция и представлены характеристики малошумящего усилителя мощности в диапазоне частот 8-11 ГГц с коэффициентом шума не более 2 дБ и выходной мощностью более 500 мВт.
А.Кищинский. АО "Микроволновые системы"
Итоги семинара-совещания на тему «Актуальные вопросы разработки и применения СВЧ-компонентов и приборов на основе технологии нитрида галлия», который прошел 12-13 ноября 2020 г.
