Публикации

В статье представлены результаты разработки, изготовления и испытаний макета умножителя частоты с низким уровнем вносимого фазового шума на основе варикапа с резким переходом. Высокий уровень выходного сигнала разработанного умножителя снижает влияние шума последующих каскадов и может быть использован для умножения частоты генераторов со сверхнизким уровнем шума.

В докладе представлены примеры проектов многофункциональных МИС, где использование схемы стабилизации затворного смещения активных элементов позволило повысить выход годных кристаллов по критерию коэффициент усиления.

В работе представлены результаты разработки и измерений параметров сверхширокополосного усилителя (СШПУ) среднего уровня мощности (Pвых = 50 мВт) с коэффициентом усиления 9 дБ и униполярным питанием.

В статье представлены обзор тепловых и механических механизмов деградаций в GaN HFET, обусловленных физико-химическими особенностями применяемых материалов, ростовыми и постростовыми процессами, и способы купирования этих механизмов при разработке, производстве и эксплуатации.

3–4 декабря 2024 года в Москве состоялась научно-техническая конференция «Радиоэлектроника СВЧ – технологии, компоненты, приборы, комплексы», посвященная 20-летию АО «Микроволновые системы». Опубликована вторая часть статьи в журнале «Электроника. НТБ».

3–4 декабря 2024 года в Москве состоялась научно-техническая конференция «Радиоэлектроника СВЧ – технологии, компоненты, приборы, комплексы», посвященная 20-летию АО «Микроволновые системы». Опубликована статья в журнале «Электроника. НТБ».

Приведена методика экстракции параметров  эквивалентной схемы GaN HEMT на основе нелинейной модели ASM-HEMT для расчета параметров СВЧ ИС, функционирующих в непрерывном режиме

В докладе представлены некоторые особенности схемотехнической и топологической реализации монолитной интегральной схемы управления амплитудой и фазой сигнала Ku- диапазона частот и результаты измерения электрических параметров опытных образцов

В докладе представлены результаты разработки комплекта монолитных интегральных схем: векторного модулятора (в иностранной терминологии – Core Chip), реализованного на основе технологического процесса 0,15 мкм GaAs pHEMT, и оконечного устройства (в иностранной терминологии – Front-End Module)

Представлены результаты  разработки и испытаний универсального ППК Х-диапазона на основе СВЧ МИС разработки АО «Микроволновые системы». 

Доклад о разработке программного обеспечения для восстановления параметров SPICE-моделей с использованием симулятора электрических схем Ngspice.

В докладе представлены примеры из практики АО «Микроволновые системы» в части разработки и производства монолитных интегральных схем СВЧ на основе GaAs и GaN.

По итогам семинара-совещания GaN-2022 опубликована статья в журнале Электроника НТБ

Рассказывает заместитель генерального директора по развитию электронной компонентной базы АО «Микроволновые системы» В. М. Миннебаев

Данная статья написана по материалам доклада (A.Radchenko, S.Garmash, A.Kishchinsky. 1-6 GHz 35W Balanced GaN-HEMT Power Amplifier with Innovative Quadrature Couplers. Proceedings of the 16th European Microwave Integrated Circuits Conference, 2021, Р.265-268), опубликованном в сборнике материалов конференции.

Компания «Микроволновые системы» была организована в 2004 году. В настоящее время предприятие проектирует, собирает и настраивает современные СВЧ-модули. Продолжая заниматься традиционной для себя тематикой – ​широкополосными СВЧ-усилителями мощности и малошумящими усилителями – ​компания расширяет спектр своей деятельности.

В докладе приведена конструкция и представлены характеристики усилителя СВЧ мощности диапазона 1 – 6 ГГц на основе нитрид-галлиевых балансных схем с выходной мощностью более 30 Вт и КПД от 23 до 35% с однополярным питанием 27 В.

Рассмотрены возможности использования пассивных интегральных схем на подложках арсенида галлия в конструкции усилителя мощности для импульсных передатчиков Х-диапазона частот (8,5 - 9,7 ГГц с выходной мощностью 13 - 15 Вт). 

В докладе приведена конструкция и представлены характеристики малошумящего усилителя мощности в диапазоне частот 8-11 ГГц с коэффициентом шума не более 2 дБ и выходной мощностью более 500 мВт.

Итоги семинара-совещания на тему «Актуальные вопросы разработки и применения СВЧ-компонентов и приборов на основе технологии нитрида галлия», который прошел 12-13 ноября 2020 г.

Компания «Микроволновые системы» отмечает в этом году юбилей – 15 лет. О том, как создавалась компания, каких успехов достигла за прошедшие годы, а также о современных мировых тенденциях в области СВЧ и возможностях российских компаний в создании передовых решений, конкурентоспособных на глобальном рынке СВЧ-устройств, читайте в интервью с одним из основателей компании, заместителем генерального директора, главным конструктором АО «Микроволновые системы» Андреем Александровичем Кищинским.

Представлены результаты разработки и исследования параметров образцов усилителей мощности с выходной непрерывной мощностью 150-200 Вт в диапазонах частот 3,4–3,9 и 7,3–7,6 ГГц, построенных по схеме суммирования мощностей 8-ми гибридно-интегральных модулей с нитрид-галлиевыми транзисторами.

Представлен анализ технических и технологических решений, применяемых при конструировании сверхширокополосных транзисторных усилителей мощности СВЧ диапазона. Рассмотрены современные технологии и схемы построения монолитных интегральных усилителей мощности, достигнутые в промышленности и в разработках параметры, обсуждаются конструкции высокомощных усилителей. Приведены результаты ряда практических разработок, выполненных под руководством автора.

В статье представлены результаты разработки и практической реализации широкополосных монолитных интегральных СВЧ усилителей диапазон  частот 5 – 18 ГГц с выходной мощностью 1,5 Вт и 0,9 Вт