Главная Производство НИОКР Публикации Новости Контакты English version
___
АО «Микроволновые системы»
Разработка и производство твердотельных модулей СВЧ
   
Публикации
15 Августа 2022
А.В. Радченко, С.В. Гармаш, А.А. Кищинский
АО «Микроволновые системы»

Балансный GAN-HEMT усилитель с выходной мощностью 35 Вт в диапазоне частот 1-6 ГГц с инновационными квадратурными мостами

Методы схемотехнического построения широкополосных усилителей

Развитие телекоммуникационных сетей, поддерживающих различные диапазоны и стандарты передачи информации, послужило причиной поиска технических решений для построения эффективных транзисторных усилителей мощности, перекрывающих максимально возможную непрерывную полосу частот. Расширение полосы частот приводит к значительным трудностям в согласовании транзисторов с 50-Омным трактом. Для достижения требуемых параметров в широкой полосе частот применяют различные известные [1] методы схемотехнического построения усилителей: реактивное согласование (RM), реактивно-диссипативное согласование (LM), применение отрицательной обратной связи (FB), схема бегущей волны (TWA). Схемы RM и LM позволяют реализовать высокие выходную мощность и КПД усилителя, но при этом затруднительно обеспечить хорошее согласование входа и выхода для широкой полосы частот. Схемы FB и TWA, наоборот, позволяют оптимизировать согласование, но ограничивают максимально достижимую эффективность усилителя.

<< Все статьи