Публикации
Гармаш С.В. Доклад опубликован в материалах 20 Крымской конференции "СВЧ техника и телекоммуникационные технологии", Севастополь, Вебер, 2011 г.
В докладе изложены результаты разработки усилителя мощности диапазона частот 4 - 12 ГГц с выходной мощностью в непрерывном режиме 13 - 18 Вт, предназначенного для использования в составе передающих модулей АФАР. Приведены экспериментальные характеристики образцов усилителей, обсуждаются особенности построения, конструкции и технологии сборки.
А. Кищинский. Статья опубликована в журнале "Электроника: Наука, Технология, Бизнес", №2, 2010 г.
В статье рассмотрены мировой уровень и направления развития востребованной рынком группы СВЧ компонентов - широкополосных транзисторных усилителей мощности непрерывного режима. Рассмотрены существующие и перспективные технологии, применяющиеся в производстве мощных СВЧ дискретных и монолитных компонентов, пригодных для построения таких широкополосных усилителей.
Гармаш С.В., Кищинский А.А., Маркинов Е.Г. Доклад опубликован в материалах 19 Крымской конференции "СВЧ техника и телекоммуникационные технологии", Севастополь, Вебер, 2009 г.
В докладе изложены результаты разработки и экспериментального исследования усилителя мощности диапазона частот 4-8 ГГц с выходной мощностью в линейном режиме более 8 Вт. Приведены экспериментальные характеристики усилителя, особенности построения, конструкции и технологии сборки.
Гармаш С.В., Кищинский А.А., Радченко А.В. Доклад опубликован в материалах 19 Крымской конференции "СВЧ техника и телекоммуникационные технологии", Севастополь, Вебер, 2009 г.
В докладе изложены результаты разработки и экспериментального исследования квазимонолитного транзисторного усилителя диапазона 8-18 ГГц с выходной мощностью в линейном режиме более 2 Вт. Приведены экспериментальные характеристики изготовленных образцов усилителей, рассматриваются особенности их построения, конструкция и технология сборки.
Кищинский А.А. Доклад опубликован в материалах 19 Крымской конференции "СВЧ техника и телекоммуникационные технологии", Севастополь, Вебер, 2009 г.
В докладе рассмотрен мировой технический уровень и тенденции развития технологии мощных СВЧ транзисторов и интегральных схем на нитриде галлия, мощных усилителей на их основе.
Баранов В.В., Зимин Р.А., Кищинский А.А., Матвеев А.Д., Суханов Д.А.
В докладе изложены результаты разработки и экспериментального исследования широкополосных усилителей дециметрового (0.5-2.5 ГГц) диапазона с выходными мощностями в непрерывном режиме от 20 до 200 Вт, выполненных на основе карбид-кремниевых полевых транзисторов.
Бочкарев Д.В., Никитин Д.В, Кищинский А.А., Радченко А.В. Доклад опубликован в материалах 19 Крымской конференции "СВЧ техника и телекоммуникационные технологии", Севастополь, Вебер, 2009 г.
В докладе изложены результаты экспериментального исследования параметров усилительных модулей, построенных по схеме двух- и четырехканального суммирования мощностей серийно-выпускаемых широкополосных транзисторных усилителей диапазона 2-4 ГГц, реализованы макеты модулей с октавной полосой и выходной непрерывной мощностью 50 и 100 Вт.
Кищинский А.А. Доклад опубликован в материалах 16 Крымской конференции "СВЧ техника и телекоммуникационные технологии", Севастополь, Вебер, 2006 г., стр. 171, 172.
В докладе изложены результаты разработки и экспериментального исследования параметров гибридно-интегральных усилительных каскадов на основе новых карбид-кремниевых (SiC) транзисторов CRF24010. Реализованы малогабаритные усилительные элементы в диапазоне 0.8-2.5 ГГц с усилением 9–10 дБ и выходной мощностью 10 и 20 Вт.
С.М. Доровских. Статья опубликована в журнале "Компоненты и технологии", 2006 г., №7, стр. 66-67
Технология сборки гибридно-интегральных схем (ГИС) СВЧ в опытном и мелкосерийном производстве представляет собой традиционно устоявшуюся последовательность операций монтажа. Развитие электроники по пути снижения себестоимости изделий и повышения производительности труда приводит к тому, что необходимо по-новому взглянуть на процесс изготовления приборов.
Кищинский А.А. Доклад опубликован в материалах 14-й Крымской конференции "СВЧ техника и телекоммуникационные технологии", Севастополь, Вебер, 2004 г., стр. 7-11.
В докладе рассмотрен мировой технический уровень и тенденции развития направления транзисторных усилителей мощности СВЧ и миллиметрового диапазона, транзисторов и монолитных интегральных схем повышенной мощности.
