Главная Производство НИОКР Публикации Новости Контакты English version
___
АО «Микроволновые системы»
Разработка и производство твердотельных модулей СВЧ
   
Публикации
4 Декабря 2023
Кищинский А. А., Кондратенко А. В., Бутерин А. В., Иванов А. В., Шишкин Д. А., Сорвачев П. С., Щербаков А. С., Миннебаев В. М., Миннебаев С. В., Редька Ал. В.
АО «Микроволновые системы»

Универсальный приемо-передающий канал Х-диапазона на основе СВЧ МИС собственной разработки

  Основой любого приемо-передающего модуля (ППМ) являются приемо-передающие каналы (ППК), формирующие основные СВЧ-характеристики. Применение в ППК МИС на основе широкозонных полупроводников позволило достичь высокой повторяемости СВЧ-характеристик, повысить надежность, уменьшить массогабаритные параметры, снизить трудоемкость изготовления и настройки ППМ. Используя специализацию Fabless — foundry для создания монолитных интегральных схем (МИС) СВЧ, удалось разработать и изготовить универсальный ППК Х-диапазона на основе МИС собственной разработки.

ППМ

 В состав ППК входит GaN МИС импульсного усилителя мощности MSN560V с Рвых.имп ≥ 9,5 Вт в ΔF = 8,5–11,0 ГГц [3]. МИС включает детектор выходной мощности, а площадь кристалла (3,8 мм2) в пять раз меньше аналогичных GaAs МИС. Управляемые фазовращатели и аттенюаторы СВЧ — основные элементы аналогового диаграммообразования АФАР. В ППК эти функции возложены на многофункциональную GaAs МИС MSP003D со следующими параметрами:

  • Ку = 19 – 20 дБ в режимах «прием»/«передача»,
  • Рвых = 100 мВт в режиме «передача»,
  • управление — ТТЛ/КМОП,
  •  СКО установки затухания / фазового сдвига — 0,5 дБ/2 град.


 В целях расширения динамического диапазона приемника в состав ППК входит МИС 1-разрядного 20-дБ аттенюатора. Для повышения точности установки амплитуды и фазы сигнала использована GaAs МИС фазовращателя/аттенюатора MSP012D с драйвером управления, обеспечивающая дискреты вносимой фазы 1,4/2,8 град., дискреты вносимого затухания 0,5–1–2 дБ. Вышеперечисленные МИС позволили изготовить универсальный ППК со следующими параметрами:

  • Рвых.имп = 9,5 – 11,0 Вт,
  • Ку в режиме «передача»/«прием» — 40 дБ/32 дБ,
  • Кш ≤ 2,2 дБ,
  • дискрет управления фазой/амплитудой — 1,5 град/0,5 дБ,
  • габаритные размеры — 24×19×4 мм,
  • масса — 5 гр.

Литература
1. Белолипецкий А. В., Борисов О. В., Колковский Ю. В. и др. Антенный электронный блок для спутниковой АФАР Х-диапазона // Электронная техника.Серия 2: Полупроводниковые прибор, 2017. — Вып. 3 (246). — С. 15–25.
2. Andrey Kistchinsky, Ultra-Wideband GaN Power Ampliers — From Innovative Technology to Standart Products — Ultra Wideband Communications // Novel Trends — System, Architecture and Implementation, Intech, 2011. P. 213–232.
3. Кондратенко А. В., Шишкин Д. А., Щербаков А. С., Миннебаев С. В. GaN МИС усилителя мощности Х-диапазона с функцией контроля уровня мощности // Тезисы докладов юбилейной научно-технической конференции АО «НПП «Исток» им. Шокина» «СВЧ-Электроника-2023». — 25–26 мая 2023 г. — С. 37–38.

 

<< Все статьи