Главная Производство НИОКР Публикации Новости Контакты English version
___
АО "Микроволновые системы"
Разработка и производство твердотельных модулей СВЧ
   
GaAs core-chip

MSP003D

Описание:

MSP003D – СВЧ модуль (бескорпусной) векторного модулятора, содержащий 6-разрядный фазовращатель, 5-разрядный аттенюатор, переключатель режимов «TX/RX», четыре буферных усилителя и драйвер управления с параллельной загрузкой команд. Рабочий диапазон частот 8 – 11.5 ГГц, область применения: телекоммуникационные и радиолокационные приложения. Изделие выполнено на основе GaAs pHEMT процесса с топологической нормой 0.15 мкм.

Исполнение:

Модуль СВЧ бескорпусной (кристалл)

Основные особенности:

  • Интегрированное решение для Х-диапазона
  • Режим работы «TX/RX» – симплексный
  • Коэффициент усиления в режиме «RX» 18.5дБ
  • Выходная мощность в режиме «TX» 100 мВт
  • Драйвер управления с параллельной загрузкой
  • Схемы стабилизации смещения на затворах
  • 100% контроль НЧ и СВЧ параметров
  • 100% визуальный контроль 

 

Основные электрические характеристики (Т=25°С)

Наименование параметра

Обозначение

Единицы измерения

Значение

Мин.

Тип.

Макс.

Рабочий диапазон частот

ΔF

ГГц

 

8 – 11.5

 

Коэффициент усиления (F = 11.5 ГГц, режим «RX»)

S21(RX)

дБ

 

18.5

 

Коэффициент усиления (F = 11.5 ГГц, режим «ТX»)

S21(ТX)

дБ

 

18.0

 

Коэффициент отражения от входа (режим «RX/TX»)

S11(RX/TX)

дБ

 

 

– 11/– 12

Вых. мощность при компрессии КУ 1 дБ (режим «RX/TX»)

P1dB(RХ/TX)

дБм

 

17/20

 

Коэффициент шума (режим «RX»), не более

NF(RX)

дБ

 

4.5

 

Вносимый фазовый сдвиг (6 бита, шаг 5.625°)

Δ(PhS)

град

 

355

 

СКО ошибки вносимого фазового сдвига

RMS(PhS)

град

 

 

2

Вносимое ослабление (5 бита, шаг 0.9 дБ)

Δ(ATT)

дБ

 

27.9

 

СКО ошибки вносимого ослабления

RMS(ATT)

дБ

 

 

0.5

Напряжение питания усилителей (VD1, VD2, VD3)

VD

B

 

+ 5

 

Напряжение смещения усилителей (VG1, VG2, VG3)

VG

B

 

– 5

 

Напряжение питания драйвера управления

VSS

В

 

– 5

 

Напряжение управления высокого уровня (VAi , VPj)

VLH

В

+ 2.2

+ 3.3

+ 5.0

Напряжение управления низкого уровня (VAi , VPj)

VLL

В

0

+ 0.7

Ток потребления по цепи VD= + 5 В(режим «RX/ТX»)

IVD(RX/TX)

мА

 

220/300

 

Ток потребления по цепи VG= – 5 В / VSS= – 5 В

IVG / IVSS

мА

 

15/14

 


Документация

Техническое описание

Дополнительная информация

Публикации. Универсальный приемо-передающий канал Х-диапазона на основе СВЧ МИС собственной разработки

Интеллектуальная собственность