Главная Производство НИОКР Публикации Новости Контакты English version
___
АО «Микроволновые системы»
Разработка и производство твердотельных модулей СВЧ
   
GaAs core-chip

MSP012D

Описание:

MSP012D – СВЧ модуль (бескорпусной) векторного модулятора, содержащий    2-разрядный фазовращатель, 3-разрядный аттенюатор и драйвер управления с параллельной загрузкой команд. Рабочий диапазон частот 8 – 12 ГГц, область применения: телекоммуникационные и радиолокационные приложения. Изделие выполнено на основе GaAs pHEMT процесса с топологической нормой 0.15 мкм. Защитное покрытие – нитрид кремния.

Исполнение:

Модуль СВЧ бескорпусной (кристалл)

Основные особенности:

  • Интегрированное решение для Х-диапазона
  • Вносимые потери 2.7 дБ на 10 ГГц (опорное состояние)
  • Диапазон фазового сдвига 4.2° (2 бита, шаг 1.4°)
  • Диапазон ослабления 3.5 дБ (3 бита, шаг 0.5 дБ)
  • Драйвер управления с параллельной загрузкой
  • 100 % контроль НЧ и СВЧ параметров
  • 100 % визуальный контроль

 

Основные электрические характеристики (Т=25°С)

Наименование параметра

Обозначение

Единицы измерения

Значение

Мин.

Тип.

Макс.

Рабочий диапазон частот

ΔF

ГГц

 

8 – 12

 

Коэффициент передачи

S21

дБ

 

– 2.7

 

Коэффициент отражения от СВЧ порта 1

S11

дБ

 

 

– 19

Коэффициент отражения от СВЧ порта 2

S22

дБ

 

 

– 20

Выходная мощность при компрессии Ку на 1 дБ

P1dB

дБм

 

21

 

Вносимый фазовый сдвиг (2 бита, шаг 1.4°)

Δ(PhS)

град

 

4.4

 

СКО ошибки вносимого фазового сдвига

RMS(PhS)

град

 

 

0.1

Вносимое ослабление (3 бита, шаг 0.5 дБ)

Δ(ATT)

дБ

 

3.5

 

СКО ошибки вносимого ослабления

RMS(ATT)

дБ

 

 

0.1

Напряжение питания драйвера управления

VSS

В

 

-5

 

Напряжение управления высокого уровня (VAi , VPj)

VLH

В

+ 2.2

+ 3.3

+ 5.0

Напряжение управления низкого уровня (VAi , VPj)

VLL

В

0

+ 0.7

Ток потребления по цепи VSS= – 5 В

IVSS

мА

 

6

 


Документация

Техническое описание

Дополнительная информация

Публикации. Универсальный приемо-передающий канал Х-диапазона на основе СВЧ МИС собственной разработки

Интеллектуальная собственность