Главная Производство НИОКР Публикации Новости Контакты English version
___
АО «Микроволновые системы»
Разработка и производство твердотельных модулей СВЧ
   
GaAs pHEMT транзисторы

GaAs pHEMT транзисторы

Наименование
Аналог
ΔF, ГГц
P1дБ, Вт
Куp, дБ
Uси
Iси.нач
Примечание
МС14-2 BCP160C, BCP120C, AM010WH2, MwT-PH8F, MwT-PH31F 0 – 18 1,1* 8,0* 8,0 0,6 производство
МС24С FLK207XV, BCP240C, TGF2022-24 0 – 18 1,9* 7,5* 8,0 1,0 производство
МС24-2С FLK207XV, BCP240C, TGF2022-24 0 – 18 1,9* 7,5* 8,0 1,0 производство
МС27-1 FLX257XV, BCP240C, TGF2022-24 0 – 18 2,2* 7,2* 8,0 1,2 производство
МС27-1С FLX257XV, BCP240C, TGF2022-24 0 – 18 2,2* 7,2* 8,0 1,2 производство
МС28С FLX257XV, FLC167WF 0 – 18 2,2* 7,0* 8,0 1,2 производство
МС36-2С TGF2021-04 0 – 14 2,8** 7,2** 8,0 1,5 производство
МС40С TGF2021-04 0 – 14 3,2** 7,0** 8,0 1,8 производство
* – Fизм = 18 ГГц; ** – Fизм = 14 ГГц