Главная Производство НИОКР Публикации Новости Контакты English version
___
АО "Микроволновые системы"
Разработка и производство твердотельных модулей СВЧ
   
GaN HEMT транзисторы

GaN НЕМТ транзисторы (МКШУ.460871.055 ТУ)

Наименование
Аналог
ΔF, ГГц
P3дБ, Вт
Ку, дБ
Uси, В
Iси.нач
Iси.пок, А
Примечание
МС1К TGF2023-01, CGHV1J006D, D2J015DB2, JD18W303
0 – 18
4*
9,0*
28
0.75
-
производство
МС1К5 TGF2023-2-01, CGHV1J006D, BCG008D, D2J015DB2, JD18W303
0 – 18
6*
9,0*
28
1.1
-
производство
МС2К TGF2023-02
0 – 18
8*
8,0*
28
1.5
-
производство
МС2К25 TGF2023-02, TGF2023-2-02, CGH60008D, UJ013-015B2, GD18W303
0 – 18
9*
9,0*
28
1.7
-
производство
МС2К7 TGF2023-02, TGF2023-2-02
0 – 18
11*
11,0*
28
2.0
-
производство
МС3К TGF2023-02, TGF2023-2-02, UJ013-015B2
0 – 14
12**
9,0**
28,0
2,4
0,125
производство
МС4К2 CGH60015D, GD21W328
0 – 14
15**
8,0**
28,0
3,5
0,3
производство
МС8К4 TGF2023-2-05, CGH60030D, CHK9014-99F, CG2H80030D, D2J055DA2
0 – 14
25**
8,0**
28,0
6.7
0,4
производство
* Fизм = 18 ГГц; ** Fизм = 14 ГГц