Главная Производство НИОКР Публикации Новости Контакты English version
___
АО «Микроволновые системы»
Разработка и производство твердотельных модулей СВЧ
   
GaN HEMT транзисторы

GaN HEMT транзисторы

Наименование
Аналог
ΔF, ГГц
P3дБ, Вт
Куp, дБ
Uси, В
Iси.пок, А
Примечание
МС3К TGF2023-02, TGF2023-2-02 0 – 18 10* 18,0* 28,0 0,125 разработка
МС4К2 CG2H80015D 0 – 18 15** 12,0** 28,0 0,3 разработка
МС8К4 CGH60030D, CG2H80030D 0 – 8 30** 12,0** 28,0 0,4 разработка
* – Fизм = 18 ГГц; ** – Fизм = 8 ГГц