GaN HEMT транзисторы
Наименование |
Аналог |
ΔF, ГГц |
P3дБ, Вт |
Ку, дБ |
Uси, В |
Iси.нач |
Iси.пок, А |
Примечание |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| МС3К | TGF2023-02, TGF2023-2-02, UJ013-015B2 | 0 – 14 | 12** | 9,0** | 28,0 | 2,4 | 0,125 | производство
|
| МС4К2 | CG2H80015D | 0 – 14 | 15** | 8,0** | 28,0 | 3,5 | 0,3 | производство
|
| МС8К4 | CGH60030D, CG2H80030D | 0 – 14 | 25** | 8,0** | 28,0 | 6,73 | 0,4 | производство
|
* Fизм = 18 ГГц; ** Fизм = 14 ГГц
