GaN HEMT транзисторы
Наименование |
Аналог |
ΔF, ГГц |
P3дБ, Вт |
Куp, дБ |
Uси, В |
Iси.пок, А |
Примечание |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| МС3К | TGF2023-02, TGF2023-2-02 | 0 – 18 | 10* | 18,0* | 28,0 | 0,125 | разработка
|
| МС4К2 | CG2H80015D | 0 – 18 | 15** | 12,0** | 28,0 | 0,3 | разработка
|
| МС8К4 | CGH60030D, CG2H80030D | 0 – 8 | 30** | 12,0** | 28,0 | 0,4 | разработка
|
* – Fизм = 18 ГГц; ** – Fизм = 8 ГГц
