Главная Производство НИОКР Публикации Новости Контакты English version
___
АО «Микроволновые системы»
Разработка и производство твердотельных модулей СВЧ
   
GaN HEMT транзисторы

GaN HEMT транзисторы

Наименование
Аналог
ΔF, ГГц
P3дБ, Вт
Ку, дБ
Uси, В
Iси.нач
Iси.пок, А
Примечание
МС3К TGF2023-02, TGF2023-2-02, UJ013-015B2 0 – 14 12** 9,0** 28,0 2,4 0,125 производство
МС4К2 CG2H80015D 0 – 14 15** 8,0** 28,0 3,5 0,3 производство
МС8К4 CGH60030D, CG2H80030D 0 – 14 25** 8,0** 28,0 6,73 0,4 производство
* Fизм = 18 ГГц; ** Fизм = 14 ГГц