GaN HEMT транзисторы
Наименование |
Аналог |
ΔF, ГГц |
P3дБ, Вт |
Ку, дБ |
Uси, В |
Iси.нач |
Iси.пок, А |
Примечание |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
МС1К
Новинка |
TGF2023-01, CGHV1J006D, D2J015DB2, JD18W303 | 0 – 18 | 4* | 9,0* | 28 | 0.75 | - | производство
|
МС1К5
Новинка |
TGF2023-2-01, CGHV1J006D, BCG008D, D2J015DB2, JD18W303 | 0 – 18 | 6* | 9,0* | 28 | 1.1 | - | производство
|
МС2К
Новинка |
TGF2023-02 | 0 – 18 | 8* | 8,0* | 28 | 1.5 | - | производство
|
МС2К25
Новинка |
TGF2023-02, TGF2023-2-02, CGH60008D, UJ013-015B2, GD18W303 | 0 – 18 | 9* | 9,0* | 28 | 1.7 | - | производство
|
МС2К7
Новинка |
TGF2023-02, TGF2023-2-02 | 0 – 18 | 11* | 11,0* | 28 | 2.0 | - | производство
|
МС3К | TGF2023-02, TGF2023-2-02, UJ013-015B2 | 0 – 14 | 12** | 9,0** | 28,0 | 2,4 | 0,125 | производство
|
МС4К2 | CGH60015D, GD21W328 | 0 – 14 | 15** | 8,0** | 28,0 | 3,5 | 0,3 | производство
|
МС8К4 | TGF2023-2-05, CGH60030D, CHK9014-99F, CG2H80030D, D2J055DA2 | 0 – 14 | 25** | 8,0** | 28,0 | 6.7 | 0,4 | производство
|
* Fизм = 18 ГГц; ** Fизм = 14 ГГц